[实用新型]一种副边无损吸收箝位电路

权利要求书

1.一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于：包括变压器（1），所述变压器（1）的原边绕组和副边绕组分别连接有输入电路和输出电路，输出电路包括相互串联的第一二极管（11）和第三二极管（13）以及相互串联的第四二极管（14）和第二二极管（12），第一二极管（11）的负极和第四二极管（14）的负极短接且通过一第一电感（21）连接至正输出端（51），第三二极管（13）的正极和第二二极管（12）的正极短接必并连接至负输出端（52），第四二极管（14）的负极和负输出端（52）之间依次串接有第五二极管（15）和第一电容（31）且在串接位置又依次串接有第六二极管（16）和第二电感（22）后连接至正输出端（51），正输出端（51）和负输出端（52）之间连接有箝位电容（2），第一二极管（11）和第三二极管（13）串联处连接至副边绕组的其中一端，第四二极管（14）和第二二极管（12）的串联处连接至副边绕组的其中另一端。

2.根据权利要求1所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于：输入电路包括与原边绕组的其中一端相连的输入电容（41），所述输入电容（41）串联有输入电感（42），所述原边绕组的其中另一端连接至一第四MOS管（64）的源极又连接至一第二MOS管（62）的漏极，所述第四MOS管（64）的漏极通过串接一第一输入二极管（71）连接至输入电容（41）和输入电感（42）的串联处，输入电容（41）和输入电感（42）的串联处还通过串接一第二输入二极管（72）连接至第二MOS管（62）的源极，第四MOS管（64）的漏极还连接至一第一MOS管（61）的漏极，所述第一MOS管（61）的源极连接至一第三MOS管（63）的漏极，第三MOS管（63）的源极连接至第二MOS管（62）的源极，所述输入电感（42）还连接至第一MOS管（61）的源极，第一MOS管（61）的漏极和第三MOS管（63）的源极之间连接有输入电源（9）。

3.根据权利要求2所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于：第一MOS管（61）、第二MOS管（62）、第三MOS管（63）和第四MOS管（64）均为NPN型管。

4.根据权利要求3所述的一种副边无损吸收箝位电路，其特征在于：第一MOS管（61）、第二MOS管（62）、第三MOS管（63）和第四MOS管（64）内均具有寄生二极管（66）。