[实用新型]芯片保护环及芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种芯片保护环及芯片。

背景技术

在半导体芯片封装工艺中，需要对芯片进行切割，切割过程在切割道中进行。而在切割过程中，需要对所述芯片进行加热并施加外力，而加热和施加外力会在切割道内部的介质层与介质层之间或介质层与金属层之间出现分层而产生裂痕，若无保护结构，这些裂痕会在所述芯片内部延伸至芯片的功能器件区域，最终对芯片的性能产生影响。

在现有技术中，一般会在切割道与芯片功能器件区域之间设置芯片保护环，以阻止裂痕自切割道向芯片的功能器件区域延伸。现有的芯片保护环结构请参阅图1，图1为包含有芯片保护环的芯片的局部截面示意图，由图1可知，所述芯片保护环12位于形成于衬底10上的多层介质层11内，且位于功能器件区域(未示出)与切割道13之间；所述芯片保护环12为堆叠结构，由多层层叠的金属层121和连接各所述金属层121的金属插塞122组成。

然而，所述芯片保护环12仅依靠金属层121和金属插塞122并不能完全阻止裂痕向功能器件区域的延伸。同时，在半导体芯片工艺中，在介质层11的上方还包括一层厚钝化层，而钝化层比较脆，在封装工艺过程中，急冷急热会导致所述钝化层大面积破裂，而现有的芯片保护环12并不能有效地杜绝这一现象的发生。

因此，有必要提供一种芯片保护环及芯片，以改变上述缺陷。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种芯片保护环及芯片，用于解决现有技术中的保护环不能有效地防止裂痕向芯片功能器件区域延伸的问题以及保护环不能防止钝化层在封装工艺中破裂的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种芯片保护环，所述芯片保护环适于对芯片进行保护，所述芯片包括介质层，所述芯片保护环包括：至少一列呈间隔层叠分布的多层第一金属层及连接相邻所述第一金属层的金属插塞；其中，

所述第一金属层及所述金属插塞位于所述介质层内；相邻两第一金属层分别自所述金属插塞延伸至所述金属插塞的两侧；且至少位于所述金属插塞一侧的所述第一金属层上设有自所述第一金属层表面延伸至所述介质层内的第一梳齿部。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，位于所述金属插塞一侧的所述第一金属层上设有所述第一梳齿部。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第一梳齿部的长度等于位于所述金属插塞同一侧的两相邻第一金属层之间的间距。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，位于所述金属插塞两侧的所述第一金属层上均设有所述第一梳齿部。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第一梳齿部的长度大于或等于两相邻第一金属层之间的间距。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第一梳齿部自所述第一金属层的下表面向下延伸至所述介质层内。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第一梳齿部自所述第一金属层的上表面向上延伸至所述介质层内。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第一梳齿部垂直于所述第一金属层的表面。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述金属插塞的横向尺寸为所述第一金属层长度的1/5～1/3。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述芯片还包括位于所述介质层上的钝化层；所述芯片保护环还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述钝化层内；所述钝化层内设有开口，所述开口位于所述第二金属层的正上方并连通所述第二金属层的上表面，以使得所述第二金属层的上表面完全裸露。

作为本实用新型的芯片保护环的一种优选方案，所述第二金属层上设有第二梳齿部，所述第二梳齿部自所述第二金属层的表面延伸至所述介质层内。

本实用新型还提供一种芯片，所述芯片包括：功能器件区域、切割道及上述方案中所述的芯片保护环；其中，

所述芯片保护环位于所述功能器件区域及所述切割道之间，且所述芯片保护环环绕所述功能器件区域，以将所述功能器件区域与所述切割道隔离开。

如上所述，本实用新型的芯片保护环及芯片，具有以下有益效果：

1)第一金属层上设有自第一金属层表面延伸至介质层内的第一梳齿部，所述第一梳齿部可以有效地切断裂痕的延伸路径，进而有效地避免裂痕在介质层内部向芯片功能器件区域的延伸。

2)连接金属层的金属插塞具有较大的横向尺寸，可以在位于其上的金属层受到外界压力的作用时对位于其上的金属层起到很好的支持作用。