[实用新型]基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池

权利要求书

1.一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其特征在于，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底具有相对的一受光面和一背面，所述受光面为经过织构化处理形成的绒面，所述背面为经过平坦化处理形成的平面；所述P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，所述受光面上设置有第一减反钝化膜；所述P型硅衬底的背面设置有依次交替排布的多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，所述背面上设置有第二减反钝化膜，所述第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述p++重掺杂区，所述第二电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述n++重掺杂区。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极和第二电极均为叉指状的金属电极。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反钝化膜和第二减反钝化膜为一层以上的薄膜。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反钝化膜和第二减反钝化膜的材料为SiO₂、SiN_x、TiO₂、AlO_x或MgF2。