[实用新型]基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置有效
申请号: | 201520605274.3 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN204947601U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 吕征宇;俞立天;喻德来 | 申请(专利权)人: | 杭州银湖电气设备有限公司 |
主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;郑汉康 |
地址: | 311400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电压 控制 快速 响应 电抗 装置 | ||
1.一种基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,包括由带小截面结构的铁芯和绕在铁芯上的四个交叉连接的并联线圈组成的磁控电抗器本体,带辅助高压电源的励磁控制单元、控制器等,其特征在于所述的励磁控制单元,包含常规励磁电路、高压辅助电源和切换开关K1、K2组成,励磁控制单元的输入端ac12、ac22连接于磁控电抗器本体低位抽头ac1、ac2形成两象限电压源,输出端dc12、dc22连接于磁控电抗器的励磁连接点dc1、dc2,控制端连接于本装置的控制器;所述的励磁控制单元;常规励磁电路和高压辅助电源的输出端分别经K1、K2串联后并联形成励磁控制单元的输出端;快速响应磁控电抗器装置按以下三种模式工作:常规励磁模式、快速升磁模式和快速退磁模式。
2.根据权利要求1所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于常规励磁电路包括一对SCR或全控型开关、一个高压二极管D1。
3.根据权利要求1所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于K1为IGBT等全控型功率半导体开关。
4.根据权利要求1所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于K2为双向全控型功率半导体开关。
5.根据权利要求1所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于系统控制器通过光纤控制励磁控制单元。
6.一种基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,包括由带小截面结构的铁芯和绕在铁芯上的四个交叉连接的并联线圈组成的磁控电抗器本体,带两个辅助高压电源的励磁控制单元、控制器等,其特征在于所述的励磁控制单元,包含常规励磁电路、高压辅助电源1、高压辅助电源2和切换开关K1、K2、K3,励磁控制单元的输入端ac12、ac22连接于磁控电抗器本体低位抽头ac1、ac2形成两象限电压源,输出端dc12、dc22连接于磁控电抗器的励磁连接点dc1、dc2,控制端连接于本装置的控制器;常规励磁电路、高压辅助电源1、高压辅助电源2的输出端分别经K1、K2、K3串联后并联形成励磁控制单元的输出端;快速响应磁控电抗器装置按以下三种模式工作:常规励磁模式、快速升磁模式和快速退磁模式。
7.根据权利要求6所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于常规励磁电路包括一对SCR或全控型开关、一个高压二极管D1。
8.根据权利要求6所述的基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,其特征在于K1为IGBT等全控型功率半导体开关;K2、K3为逆阻型全控型功率半导体开关;或者:K2、K3由IGBT等全控型功率半导体开关和高压二极管串联构成。
9.一种基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,包括由带小截面结构的铁芯和绕在铁芯上的四个交叉连接的并联线圈组成的磁控电抗器本体,带辅助高压电源的励磁控制单元、控制器等,其特征在于所述的励磁控制单元,包含常规励磁电路、高压辅助电源和切换开关K2,励磁控制单元的输入端ac12、ac22连接于磁控电抗器本体低位抽头ac1、ac2形成两象限电压源,输出端dc12、dc22连接于磁控电抗器的励磁连接点dc1、dc2,控制端连接于本装置的控制器;高压辅助电源的输出端K2串联后和常规励磁电路并联形成励磁控制单元的输出端;快速响应磁控电抗器装置按以下两种模式工作:常规励磁模式和快速升磁模式。
10.一种基于电压源控制的快速响应的磁控电抗器装置,包括由带小截面结构的铁芯和绕在铁芯上的四个交叉连接的并联线圈组成的磁控电抗器本体,带辅助高压电源的励磁控制单元、控制器等,其特征在于所述的励磁控制单元,包含常规励磁电路、具有反向过电压吸收能力的高压辅助电源和切换开关K1、K2,励磁控制单元的输入端ac13、ac23连接于磁控电抗器本体低位抽头ac1、ac2形成两象限电压源,输出端dc12、dc22连接于磁控电抗器的励磁连接点dc1、dc2,控制端连接于本装置的控制器;常规励磁电路和高压辅助电源的输出端分别经K1、K2串联后并联形成励磁控制单元的输出端;快速响应磁控电抗器装置按以下两种模式工作:常规励磁模式和快速退磁模式。
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