[实用新型]化学机械研磨装置有效
| 申请号： | 201520606208.8 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN205237796U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金旻成;任桦爀 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/10;G01B21/08 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 装置 | ||
1.一种化学机械研磨装置，其作为晶元的化学机械研磨装置，其特征在于包括：
研磨盘，其上面覆盖有研磨垫并进行自转；
研磨头，其将所述晶元加压至所述研磨垫并旋转；
调质器，其以用旋转的调质盘与所述研磨垫的表面接触的状态，对所述研磨垫的表面进行改质；
传感器，其对接收信号进行接收，所述接收信号包括厚度和距离中任意一个以上的信号成分；
控制部，其将根据从第一接收信号的所述研磨垫的垫厚度变化的信号成分反映至第二接收信号，从而对所述晶元的研磨层厚度进行感知，所述传感器在所述调质盘的下侧接收所述第一接收信号，所述传感器在所述晶元的下侧接收所述第二接收信号。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述传感器固定于所述研磨盘，从而与研磨盘共同旋转的同时，接收所述第一接收信号和所述第二接收信号。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
在相距所述研磨盘的旋转中心不同间隔距离位置上设置多个所述传感器。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述传感器为涡电流传感器。
5.根据权利要求4所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述研磨层为导电层，而所述调质盘由导电性材料形成。
6.根据权利要求5所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述调质盘以相比所述导电层的厚度100倍以上的厚度形成。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述传感器为光学传感器。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的化学机械研磨装置，其特征在于，
所述厚度包括所述厚度的变动值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于K.C.科技股份有限公司，未经K.C.科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520606208.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铸件清理用多角度夹持装置
- 下一篇：一种基于软性磨粒流抛光叶轮的装置
