[实用新型]一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电机控制技术,具体地说是一种基于MOS管的直流电机驱动技术。

背景技术

如今,在诸如智能水表，热量表等智能仪表的阀门控制中，绝大多数设计方案都采用三极管构建的驱动电路来驱动。三极管是电流控制型元器件，若要提高驱动能力，控制器必须提供更大的基极电流，然而控制器电流输出能力一般都比较小，即便选用放大倍数较大的三极管，其驱动能力的提高也并不明显,还增加了产品成本。

实用新型内容

为解决三极管电路驱动能力不足的难题，本实用新型的目的是提供一种基于MOS管(即金属氧化物半导体场效应晶体管)的直流电机驱动电路，以提高驱动能力。

本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,通过控制4个MOSFET---MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止：

当MOSFET1和MOSFET4导通，MOSFET2和MOSFET3截止时，电机正转；

当MOSFET1和MOSFET4截止，MOSFET2和MOSFET3导通时，电机反转；

当MOSFET3和MOSFET4都截止时，电机停止。

所述MOSFET1和MOSFET2是P沟道；MOSFET3和MOSFET4是N沟道；N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。

该智能仪表之阀门控制电路,采用4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路，具有低静态工作电流，较宽的电源电压范围2.5V～15v，连续1500mA的电流输出能力，TTL/CMOS输出电平兼容，可直接连CPU；内置钳位二极管，适用于感性负载。

下面结合附图和实施例,对本实用新型做进一步说明。

附图说明

图1是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理图；

图2是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的控制逻辑图。

具体实施方式

实施例一种基于MOS管的直流电机驱动控制电路

图1显示了本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理。

如图1所示，Q101和Q102分别是P沟道MOSFET1和MOSFET2；Q103和Q104是N沟道MOSFET3和MOSFET4。Motor是直流电机，M+是电机正极接线端子，M-是电机负极接线端子。CTR_S-和CTR_S+是电机控制端子，兼容TTL/CMOS电平；VDD是2V～15V直流电源。

当CTR_S+为高电平，CTR_S-为低电平时，MOSFET1(Q101)和MOSFET4(Q104)导通，MOSFET2(Q102)和MOSFET3(Q103)截止；

当CTR_S+为低电平，CTR_S-为高电平时，MOSFET1(Q101)和MOSFET4(Q104)截止，MOSFET2(Q102)和MOSFET3(Q103)导通；

当CTR_S+和CTR_S-都为低电平时，MOSFET3(Q103)和MOSFET4(Q104)都截止；

当MOSFET1(Q101)和MOSFET4(Q104)导通，MOSFET2(Q102)和MOSFET3(Q103)截止时，电机正转；

当MOSFET1(Q101)和MOSFET4(Q104)截止，MOSFET2(Q102)和MOSFET3(Q103)导通时，电机反转；

当MOSFET3(Q103)和MOSFET4(Q104)都截止时,电机停止。

图2显示了本实施例之基于MOS管的小型直流电机驱动电路的控制逻辑

如图2所示，当CTR_S+为低电平，CTR_S-为高电平时，M+为低电平，M-为高电平，电机反转；

当CTR_S+为高电平，CTR_S-为低电平时，M+为高电平，M-为低电平，电机正转；

当CTR_S+和CTR_S-同为高电平时，M+和M-都为低电平，电机停止转动；

当CTR_S+和CTR_S-同为低电平时，M+和M-都为高电平，电机停止转动。