[实用新型]一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及类单晶籽晶受到切割工艺设备，尤其涉及一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备。

背景技术

目前传统类单晶籽晶受到切割工艺的限制，只能制作156*156mm方块或长度700-1200mm宽度50-200mm的长硅板，选用以上两种籽晶的方案，存在籽晶之间有间隔的问题，间隔的存在破坏了晶向的一致性，同时也导致晶体的下半段存在晶界，加剧了位错的产生和集中，并且在会导致杂质不均匀聚集。选用拼接式籽晶时，在融化硅料后期，会因为设备的差异性导致融化硅料速度控制不住，而将边缘籽晶一并融化，从而导致只有中间部分会形成类单晶体。同时也增加了生产时的能耗。作为小尺寸籽晶原料的单晶棒，其价格稳定且昂贵。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决上述提出的问题，提供一种结构简单、使用方便，且降低产能消耗的一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备。

本实用新型的目的是以如下方式实现的：一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备，具有工作台和设置在工作台上的锯架，所述工作台上设有真空吸盘机组。

上述的一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备，所述真空吸盘机组具有三十六个小吸盘用于辅助吸持类单晶体薄片。

上述的一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备，所述真空吸盘机组底部设有用于上下、左右、前后移动功能的移动设备。

上述的一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备，所述小吸盘均匀等分分布。

本实用新型的优点：1、使用本方案的作业方式，可以获得尺寸156mm-1040mm区间的任何尺寸籽晶。免去了小面积籽晶的拼接问题。

2、使用本方案的超大尺寸籽晶，可有效解决原拼接方案中边缘籽晶被融化的风险，同时解决了拼接造成的晶向偏离等晶体质量问题。

3、本方案也可以结合进现有的类单晶生产工艺，只需在硅锭开方切割前增加本方案的作业程序进行一锭一片的切割模式，先切出籽晶片再集中切割边缘即可，不会对原有硅锭的出材率造成影响。

4、相比原有的采用单晶棒作为籽晶原料的方式，直接从类单晶锭上截取籽晶的方案成本更加低廉，这得益于两种晶体生长成本的巨大差异。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中

图1是本实用新型的结构示意图；

附图标记：1、工作台，2、锯架，3、真空吸盘机组，4、小吸盘。

具体实施方式：

见图1所示，一种基于类单晶铸锭用籽晶加工设备，具有工作台1和设置在工作台1上的锯架2，所述工作台1上设有真空吸盘机组3。所述真空吸盘机组3具有三十六个小吸盘4用于辅助吸持类单晶体薄片。所述真空吸盘机组3底部设有用于上下、左右、前后移动功能的移动设备。所述小吸盘4均匀等分分布。

本实用新型采用上述的设备后其生产方案如下：

1、先以传统的类单晶工艺生长一个类单晶硅锭。

2、先将硅锭四周边侧皮料切除(4个面各切除3cm)。

3、再沿顶部位置向下1-3cm切除杂质区，随后向下顺延1-5cm入刀，切出厚度均匀类单晶体薄片。

4、切割时，带锯每向前进入20％位置时，按顺序将5组真空吸盘吸附到硅板表面。出刀时调低切割速度，防止切割震动导致硅板破裂。

5、每片切割完成后，循环4、5步骤，直至出现晶界后，便不可以再进行切割。

6、切割完成后，将硅板运到专用腐蚀槽内。先用氢氟酸加硝酸的混合酸液进行表面腐蚀清洁。

7、腐蚀干净后，排除腐蚀酸，将酸性抛光液注入池内，进行酸抛光。

8、抛光后送入超声设备内，去除酸残留。及热循环风烘箱进行烘干。

9、烘干后套进PE袋进行防尘包装。按片包装入标准托盘木箱。

10、铸锭现场除去PE防尘袋后，使用真空吸盘车吸附硅板，旋转至水平角度后，缓慢放入坩埚底部。放置完毕后，使用乙醇溶剂清理吸盘吸附位置。

11、后续装料至硅锭生产的工艺与原有工艺一致。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。