[实用新型]高性能薄膜压力传感器

权利要求书

1.一种高性能薄膜压力传感器，其特征在于，包括一个圆形金属弹性体(1)，所述圆形金属弹性体(1)上采用真空镀膜的方法依次制备有绝缘膜(3)、应变电阻(4)、引线焊盘(5)和保护膜(6)；所述应变电阻(4)采用砷化镓、硫化钐、氮化镓中的一种制备成薄膜，通过光刻工艺形成四个敏感电阻在所述圆形金属弹性体(1)上按中心轴对称分布构成惠斯通电桥电路。

2.如权利要求1所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述圆形金属弹性体(1)采用不锈钢材料或金属钛材料通过机械加工呈倒“U”型。

3.如权利要求1所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述绝缘膜(3)是由二氧化硅、三氧化二铝、碳化硅、氮化硅中的一种或多种制备而成。

4.如权利要求1所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述砷化镓、硫化钐、氮化镓中加入质量百分比小于5％的硅、硫、一种或多种稀土元素，降低电阻温度系数，提高电阻温度稳定性。

5.如权利要求4所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述稀土元素包括钇、镧、铈、镨、钕中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述引线焊盘(5)是由金或者铝钴合金制备成薄膜，通过光刻工艺制造成四个焊盘。

7.如权利要求1所述的高性能薄膜压力传感器，其特征在于，所述保护膜(6)是由二氧化硅制成的。