[实用新型]一种太阳能电池电极有效
申请号: | 201520622323.4 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN204991723U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 方結彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及电池技术领域,更具体的是涉及一种太阳能电池电极。
背景技术
太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结(P-NJunction)上,形成新的空穴-电子对(V-Epair),在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。
晶硅太阳能电池的制造工艺分为制绒、扩散、刻蚀、正面镀膜、丝网印刷、烧结六大工序。其中,丝网印刷分为背面电极印刷、铝背场印刷和正面电极印刷。
目前,业界采用的正面电极1′的印刷图案为副栅12′和主栅11′的组合图,副栅12′和主栅11′垂直相交。副栅12′为线宽很细的直线,线宽在20微米到70微米之间,线条数在80到150之间。主栅11′为线宽较宽的直线,线宽一般在0.8mm到2mm之间,线条数一般在2到6之间。在电池工作过程中,副栅12′搜集到的电子流向主栅11′汇聚,越靠近主栅11′的副栅12′上的电子数越多,由于副栅12′的宽度都是相同的,电子的流动会受到一定程度的阻碍(如图1所示)。
业界采用的背面电极2′为连续式或者分段式电极,与主栅11′的位置对应。背面电极2′是电池背面的电子汇聚中心,背面电极2′以外的部分是铝背场(如图2所示)。
在电池工作过程中,正面电极主栅和背面电极作为电子的汇聚中心,与相邻部件的接触性能影响了电流的传导能力,从而影响电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种增强接触性能的太阳能电池电极。
本实用新型所采用的技术方案为:一种增强接触性能的太阳能电池电极,包括正面电极和背面电极,正面电极由主栅和副栅组成,背面电极的位置与正面电极主栅的位置相对应,所述副栅与主栅接触处的副栅被加宽形成加宽部,背面电极两侧设有触须。
作为上述方案的改进,所述触须呈均匀分布。
作为上述方案的改进,所述主栅为M条,副栅为N条,其中:2≤M≤5,80≤N≤150。
作为上述方案的改进,所述主栅为连续电极或分段电极。
作为上述方案的改进,所述副栅的加宽部呈三角形或四边形或多边形。
作为上述方案的改进,所述加宽部沿副栅方向的最大长度L和垂直于副栅方向的最大宽度D0满足:100μm≤L≤1000μm,80μm≤D0≤200μm;副栅其它部分的宽度D1满足:30μm≤D1≤70μm。
作为上述方案的改进,所述背面电极为连续电极或分段电极。
作为上述方案的改进,所述触须呈三角形或四边形或多边形。
作为上述方案的改进,所述触须垂直于背面电极方向的最大长度L1和平行于背面电极方向的最大宽度D2满足:100μm≤L1≤2000μm,80μm≤D2≤200μm。
与现有技术相比,本实用新型通过副栅与主栅接触处的副栅被加宽形成加宽部,,背面电极的位置与正面电极主栅的位置相对应,背面电极两侧设有触须,增加正面电极主栅与副栅、背面电极与铝背场的接触面积,具有增强接触性能的同时也增强了电流的传导能力,从而具有提升电池的光电转换效率的优点。
附图说明
图1:常规太阳能电池正面电极结构示意图;
图2:常规太阳能电池背面电极结构示意图;
图3:本实用新型一种增强接触性能的太阳能电池正面电极结构示意图;
图4:本实用新型一种增强接触性能的太阳能电池背面电极结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
如图3、图4所示,本实用新型的一种太阳能电池电极,包括正面电极1和背面电极2,正面电极1由主栅11和副栅12组成,背面电极2的位置与正面电极1的主栅11的位置相对应,副栅12与主栅11接触处的副栅12被加宽形成加宽部13,背面电极2两侧设有触须21;与现有技术相比,本实用新型通过副栅12与主栅11接触处的副栅12被加宽形成加宽部13,背面电极2的位置与正面电极1的主栅11的位置相对应,背面电极2两侧设有触须21,增加正面电极1的主栅11与副栅12、背面电极2与铝背场的接触面积,具有增强接触性能的同时也增强了电流的传导能力,从而具有提升电池的光电转换效率的优点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的