[实用新型]互补金属氧化物半导体图像传感器

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，它包括滤光片(2)、感光工作电路单元(4)、硅衬底(6)、设置在滤光片(2)顶面的微透镜阵列(1)、设置在滤光片(2)底面的金属互联介质层(3)、与感光工作电路单元(4)匹配并位于金属互联介质层(3)内的金属互联层(5)、位于硅衬底(6)顶面的硅衬底外延层(7)，感光工作电路单元(4)设置在硅衬底外延层(7)内，硅衬底外延层(7)的顶面设置在金属互联介质层(3)底面，微透镜阵列(1)的每块微透镜下方对应的硅衬底外延层(7)及对应硅衬底外延层(7)区域内的感光工作电路单元(4)为一个像素单元，其特征在于：它还包括设置在硅衬底(6)底面的硅衬底反射曲面块阵列(10)，微透镜阵列(1)中的每块微透镜与硅衬底反射曲面块阵列(10)中的每个硅衬底反射曲面块一一对应且同轴设置，硅衬底反射曲面块阵列(10)的曲面表层设有反射介质层(9)；

相邻两个像素单元之间设置有像素间隔绝势垒(8)，每个像素间隔绝势垒(8)向下延伸至穿过硅衬底(6)。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述硅衬底反射曲面块阵列(10)与反射介质层(9)之间形成的反射率范围为20～50％。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述反射介质层(9)的底面设有载片晶圆层(11)。

4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述反射介质层(9)对400～1100纳米光波的折射率为1.4～2.3。

5.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述硅衬底(6)的厚度为1～20微米；所述硅衬底反射曲面块阵列(10)中每个硅衬底反射曲面块的起伏高度相等且起伏高度的范围均为0.5～5微米。