[实用新型]光信息传感器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光信息传感器件，属于半导体技术领域。

背景技术

光信息传感器件已被广泛地应用于诸如数字相机、相机电话等的数字装置中。光信息传感器件模块可包括用于将图像信息转换为电信息的光信息传感器件。具体地讲，光信息传感器件可包括能够将光子转换成电子以显示和存储图像的半导体器件。图像传感器的示例包括电荷耦合器件（CCD）、互补金属氧化硅（CMOS）图像传感器（CIS）等。

图像传感器中盲孔是一种实现芯片之间互连的最新技术。其主要特征在于，可以实现芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间或者晶圆和芯片之问的线路导通。与以引线键合方式将各个芯片连接起来的传统的IntegratedCircuit（IC）封装方式相比，以硅通孔技术为主的三维封装方式具有以下优势：首先，由于不再使用引线键合，布线距离更短，集成度更高，从而信号传输更快，功耗更低；其次，体积更小，重量更轻，相同封装面积下，可以集成更多的功能；最后，工艺成本大幅降低，适合大批量生产。现有技术虽然实现了TSV制作的程序化，但是上述所述过程采用了两步光阻mask的方法，TSV制作线路、周期长，不能有效的节省生产成本。

发明内容

本实用新型目的是提供一种光信息传感器件，该光信息传感器件能有效的缩短工艺流程，降低生产成本，减小结构应力，且有更小的深宽比，降低了工艺难度，实现了产业化。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种光信息传感器件，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，所述支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面若干个连续排列的缺口；

所述盲孔由碗状孔和位于碗状孔底部的直孔组成；所述盲孔中碗状孔的上开口为120~130μm，下开口为62~68μm，孔深为40~45微米；所述盲孔中直孔的上开口为55~60μm，下开口为45~50μm，孔深为34~36微米。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1.上述方案中，所述图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层，此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘，所述钝化层与图像传感芯片相背的表面具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接。

2.上述方案中，所述支撑围堰厚度为20~50微米。

3.上述方案中，所述支撑围堰宽度为200~300微米。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：

本实用新型光信息传感器件，其蚀刻形成的由碗状孔和直孔形成的特定Y形TSV硅通孔相比多步蚀刻形成的Y型孔有更大的深宽比，这样使晶圆制造时芯片尺寸更小，芯片封装尺寸会大大缩小；且此种一步蚀刻形成的由碗状孔和直孔形成的特定Y形TSV硅通孔相比直孔TSV有更小的深宽比，降低了工艺难度，实现了产业化。

附图说明

附图1为本实用新型光信息传感器件结构示意图；

附图2为本实用新型光信息传感器件中支撑围堰结构示意图；

附图3为本实用新型光信息传感器件局部结构示意图。

以上附图中：1、图像传感芯片；2、透明盖板；3、感光区；4、支撑围堰；41、第一支撑围堰层；42、第二支撑围堰层；5、胶水层；6、盲孔；61、碗状孔；62、直孔；7、钝化层；8、引脚焊盘；9、金属导电图形层；10、防焊层；11、通孔；12、焊球；13、空腔；14、缺口。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：