[实用新型]脉宽可选择的窄脉冲产生器

权利要求书

1.一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，包括窄脉冲产生器本体，所述窄脉冲产生器本体包括电路可调脉冲驱动电路和雪崩三极管脉冲产生；可调脉冲驱动电路的输入端接激励源V_t，可调脉冲驱动电路的输出端与雪崩三极管脉冲产生的输入端相连；其特征在于：雪崩三极管脉冲产生的输出端上接有一可选择脉冲宽度电路；

所述可选择脉冲宽度电路包括2组或2组以上结构相同、并相互呈并联连接的微带线支路；

每组微带线支路包括电容C₅，PIN二极管P₁，短路微带线TL₁，电阻R₅和继电开关SW₁；电容C₅的一端分为两路，一路形成可选择脉冲宽度电路的输入端，与雪崩三极管脉冲产生电路的输出端连接，另一路形成可选择脉冲宽度电路的输出端，即窄脉冲产生器本体的输出端；电容C₅的另一端连接PIN二极管P₁的阳极，PIN二极管P₁的阴极经短路微带线TL₁后接地GND；电阻R₅的一端连接PIN二极管P₁的阳极，电阻R₅的另一端经继电开关SW₁或直接与偏置电压Vdd连接；

每组微带线支路的短路微带线TL₁的长度均不相同。

2.根据权利要求1所述的一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，其特征在于：所述可调脉冲驱动电路包括双极性晶体管T₂，电容C₁、C₂，电阻R₁和电位器R₂；

电容C₁的一端、电阻R₁的一端和电位器R₂的一端相连，并形成可调脉冲驱动电路的输入端，即窄脉冲产生器本体的输入端，与激励源V_t连接；电位器R₂的另一端连接电容C₂的一端和双极性晶体管T₂的基极；电容C₂的另一端和双极性晶体管T₂的发射极均接地GND；电容C₁的另一端和电阻R₁的另一端与双极性晶体管T₂的集电极相连，并形成可调脉冲驱动电路的输出端，与雪崩三极管脉冲产生电路的输入端连接。

3.根据权利要求1所述的一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，其特征在于：所述雪崩三极管脉冲产生电路包括双极性晶体管T₁，电阻R_c、R₄、R_L和电容C₄、C₃；

电容C₃的一端形成雪崩三极管脉冲产生电路的输入端，与可调脉冲驱动电路的输出端连接；电容C₃的另一端与双极性晶体管T₁的基极和电阻R₄的一端相连；双极性晶体管T₁的集电极分为两路，一路经电阻R_C与电源VCC相连，另一路接电容C₄的一端；电容C₄的另一端与电阻R_L的一端相连，并形成雪崩三极管脉冲产电路的输出端，与可选择脉冲宽度电路的输入端连接；双极性晶体管T₁的发射极、电阻R₄的另一端和电阻R_L的另一端接地GND。

4.根据权利要求3所述的一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，其特征在于：所述电阻R_c为一电位器。

5.根据权利要求3所述的一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，其特征在于：所述偏置电压Vdd为可变偏置电压或固定偏置电压。