[实用新型]一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装 置，属于半导体设备制造技术领域。

背景技术

现有的半导体镀膜设备，尤其是12英寸半导体镀膜设备中，铝 制加热盘因其热效率高、成本低等优势仍然在当前半导体镀膜设备中 担任重要的角色。单一的铝制加热盘虽然可以满足晶圆承载及加热的 要求，但由于设备上各部分之间存在大小不同的电位差，容易出现打 火现象，会在晶圆上产生大小不同的彩虹圈，导致工艺结果异常。为 解决铝制加热盘容易出现打火而影响设备产能及增加使用成本的问 题，我们在现有的铝制加热盘外缘镶嵌一陶瓷环，来改善工艺过程中 铝制加热盘、晶圆及喷淋板相互之间不同程度的打火现象。其具体结 构是：在铝制加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带 凹台阶的陶瓷环，共同组成新型的铝制晶圆加热盘。但由于加热盘和 陶瓷环所用材料不同，在加热盘和陶瓷环之间存在电位差，容易在加 热盘和陶瓷环间隙发生打火，从而导致整个工艺结果失败及腔体硬件 损伤。

实用新型内容

本实用新型以解决上述现有问题为目的，提供了一种防止半导体 镀膜设备反应腔室内打火的装置，本实用新型采用了内径减小的陶瓷 环，减小了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙，主要解决半 导体反应腔室内打火问题。

为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案：

一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，该装置包括加 热盘，陶瓷环，所述加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧 具有带凹台阶的陶瓷环。

所述陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间隙小于0.7mm。

所述陶瓷环内径减小0.6mm。

本实用新型的有益效果是：

半导体镀膜设备反应腔室内设置有加热盘和陶瓷环，加热盘用于 承载晶圆，在加热盘中心设有一个凸台，凸台上镶嵌有一内侧具有带 凹台阶的陶瓷环，通过控制陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间 隙可以达到防止反应腔室内发生打火的目的。本实用新型将陶瓷环内 周壁的内径减小，缩小了陶瓷环内周壁与加热盘凸台侧壁之间的间 隙，避免了反应腔室内发生打火，从而可以提高反应腔室内工艺的稳 定性，避免反应腔室内硬件损伤。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的为陶瓷环和加热盘间隙的局部放大图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本实用新型进行详细说明，但实用新型 保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

一种防止半导体镀膜设备反应腔室内打火的装置，它包括加热盘 1，陶瓷环2，所述加热盘1中心设有一个凸台3，凸台3上镶嵌有一 内侧具有带凹台阶4的陶瓷环2。

所述陶瓷环内径减小0.6mm。

所述陶瓷环2内周壁与加热盘1凸台3侧壁之间的间隙小于 0.7mm。

晶圆放在陶瓷环2的凹槽内，工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下， 并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带电粒子逐 渐向四周移动，最终被排除腔体。等离子体在这个过程中会富集在陶 瓷环2上，由于加热盘1和陶瓷环2所用材料不同，在加热盘1和陶 瓷环2之间存在电位差，容易在加热盘1和陶瓷环间隙2发生打火， 所以，使陶瓷环2内周壁和加热盘1凸台3侧壁的间隙小于0.7mm， 另外，在原有陶瓷环2内径为293mm的基础上，使陶瓷环2内径减小 0.6mm，可有效避免半导体设备反应腔室内打火的情况。