[实用新型]一种功率器件终端转角

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种功率器件终端转角。

背景技术

对于功率器件终端转角处的设计,不管是单Ring结构,多Ring结构,还是有场板结构,转角处的宽度跟四条边的宽度是一样的,因为转角处的曲率不同,保持一样的宽度会导致转角处的电场变强,成为终端结构的最薄弱的位置,限制和降低了终端结构的整体耐压。如图1所示。

实用新型内容

本实用新型提供一种功率器件终端转角，以解决现有转角设计造成终端结构耐压下降的问题。

本实用新型的技术方案是，一种功率器件终端转角，所述终端转角处的宽度与四条边的宽度是不相等的。

进一步的，所述终端转角处的宽度比四条边的宽度要宽。

进一步的，所述的功率器件是MOSFET或者IGBT或者二极管或者肖特基。

进一步的，所述功率器件终端或者是单Ring结构，或者是多Ring结构，或者是有场板结构。

本实用新型提出一种在终端转角变化增加宽度的设计，这种做法最大的优点是降低终端转角处的电场，使得转角处不再是终端结构的最薄弱位置，提升功率器件终端结构的整体耐压和稳定性。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中：

图1是现有功率器件终端转角处的结构图。

图2是本实用新型功率器件终端转角处的结构图。

其中，1——Ring或者场板。

当1为Ring，R1为Ring的宽度，R2为Ring转角处的宽度，

当1为场板，R1为场板的宽度,R2为场板转角处的宽度。

具体实施方式

如图2所示，一种功率器件终端转角，所述终端转角处的宽度与四条边的宽度是不相等的。所述终端转角处的宽度比四条边的宽度要宽。所述的功率器件是MOSFET或者IGBT或者二极管或者肖特基。所述功率器件终端或者是单Ring结构，或者是多Ring结构，或者是有场板结构。

值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型创造并不限于所公开的具体实施方式，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。