[实用新型]具有单层多晶的NVDRAM

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种NVDRAM，尤其是一种具有单层多晶的NVDRAM，属于半导体技术领域。

背景技术

NVDRAM(Nonvolatile-DynamicRandomAccessMemory)具有快速烧写和读取，以及在掉电后保存数据的性能。此外，NVDRAM具备了DRAM和flash的功能，把两个不同功能的存储器用一个存储器来实现，使用起来其外围的线路板上只需一套对应的接口，大大的简化了线路板。

目前的NVDRAM存储器是采用特别的工艺加工制备得到，工艺的研发和制作过程复杂，且非常昂贵，通常需要几年的时间来研发一个半导体的工艺节点。如果能跟标准逻辑工艺相兼容，则可大大降低制造成本。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有单层多晶的NVDRAM，这种结构能降低加工成本以及工艺复杂度。

按照本实用新型提供的技术方案，所述的具有单层多晶的NVDRAM，其每个基本存储单元包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第一MOS电容和第二MOS电容；第一MOS晶体管浮栅接字线wordline，漏端接位线bitline，衬底是N阱；第二MOS晶体管浮栅接第一MOS电容的浮栅，第二MOS晶体管漏端接编程位线Pbitline，衬底是N阱；第一MOS电容漏端接编程字线Pwordline，衬底是P阱；第二MOS电容的浮栅接电容线Capline，衬底是N阱；第一MOS晶体管源端、第二MOS晶体管的源端和第二MOS电容的漏端相连；所述第一MOS晶体管为PMOS管或NMOS管，第二MOS晶体管为PMOS管，第一MOS电容为NMOS电容或PMOS电容，第二MOS电容为PMOS电容。

其中，所述第一MOS电容、第二MOS电容的源端是悬挂的，或为没有源端只有3端的MOS电容。

第一MOS电容比第二MOS晶体管的电容值至少大4倍。

此种NVDRAM的结构中只有一层浮栅。

本实用新型的优点是：本实用新型的NVDRAM可与singlepoly逻辑工艺兼容，可以兼具DRAM快速随机读取数据和NVMRAM的掉电仍保存数据的功能。这样就把本来是两块不同工艺的DRAM和NVMRAM结合在一起，既降低成本又有新功能的应用。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，本实用新型的NVDRAM实施例中，每个基本存储单元包含两个PMOS晶体管PMOS1、PMOS2，一个NMOS电容NMOScap，和一个PMOS电容PMOScap。

a).PMOS1的浮栅是接wordline(字线)，漏端是接bitline(位线)，它的衬底是N阱(NWELL),源端接PMOS2的源端，也接PMOScap的漏端。

b).PMOS2的浮栅接NMOScap的浮栅，漏端是接Pbitline，它的衬底是NWELL,源端接PMOS1的源端，也接PMOScap的漏端。

c).NMOScap的浮栅接PMOS2的浮栅,漏端是接Pwordline，它的衬底是PWELL跟整个芯片的PSUB是相通的,源端是悬挂的，或没有源端只有3端的NMOScap。

d).PMOScap的浮栅是接Capline,漏端接PMOS1和PMOS2的源端，它的衬底是NWELL,源端是悬挂的，或没有源端只有3端的PMOScap。

表1为本实用新型在不同模式下的工作电压，以下结合表1阐述本实用新型的工作方法。

表1