[实用新型]一种多晶硅铸锭炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种多晶硅铸锭炉。

背景技术

多晶硅铸锭的制备过程包括长晶、退火和冷却三个阶段，目前，长晶和退火阶段需要对整个炉体加热，进行长晶及退火，但是长晶及退火过程一般需要非常高的温度，并且时长约为29～30h，因此对整个炉体加热需要消耗非常的能量。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种多晶硅铸锭炉，该多晶硅铸锭炉解决了多晶硅铸锭生长过程中能耗高的技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种多晶硅铸锭炉，包括炉体、坩埚、真空装置、加热装置、保温套筒、升降装置；

所述炉体内所述升降装置，所述升降装置上设有所述隔热板；所述隔热板上设有所述坩埚；

所述坩埚外壁由内向外依次环绕着加热装置和保温套筒；

所述真空装置设于所述炉体外，并与所述炉体通过真空管路连接。

优选地，所述炉体内设有保温层。

优选地，所述保温层包括第一保温层和第二保温层。

优选地，所述第一保温层为耐火保温纤维层，所述第二保温层为石墨碳砖层。

优选地，所述保温套筒下部沿环形方向上等距开有侧部通气口。

优选地，所述保温套筒下部均匀设置有3～10组沿环形方向上等距的侧部通气口。

优选地，所述炉体上设置有顶盖，所述顶盖上设置有保护气进口。

优选地，还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述炉体内。本实用新型的有益效果为：

本实用新型中坩埚外壁由内向外依次环绕着加热装置和保温套筒，使得加热装置用于对坩埚直接加热，避免了大面积加热造成的能源浪费，保温套筒的使用使得加热装置发出的热量只用于坩埚加热，从而保证了加热的有效性及温度场的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型多晶硅铸锭炉的结构示意图。

图中：

1、炉体；2、第一保温层；3、第二保温层；4、升降装置；5、隔热板；6、加热装置；7、保温套筒；8、顶盖；801、进气口；9、真空装置；901、真空管路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型提供的多晶硅铸锭炉，包括炉体1、坩埚、加热装置6、保温套筒7、升降装置4和真空装置9。

所述坩埚用于盛放金属硅，坩埚外壁由内向外依次环绕着加热装置6和保温套筒7，所述加热装置6用于对坩埚直接加热，避免了大面积加热造成的能源浪费；所述保温套筒7用于减少热量流失，从而保证加热装置6发出的热量只用于坩埚加热，同时也保证了加热的有效性及温度场的均匀性。具体实施时，所述保温套筒7下部沿环形方向上等距开有侧部通气口，便于惰性气体的进入，另外，侧部通气口的设置，能够合理选择降温点，有针对的控制降温速率，优选3～10组的侧部通气口；在具体制备多晶硅铸锭过程中，长晶及退火阶段，保证侧部通气口都关闭，最大限度的减少热量的损失。

所述升降装置4设于炉体1内，升降装置4上设有隔热板5，隔热板5上设有坩埚；所述隔热板5设于坩埚下端面，用于避免对流引起的热损失；所述升降装置4便于坩埚上升、下降，方便放入或取出坩埚。

所述真空装置9用于保证炉体1的真空状态，该真空装置9设于炉体1一侧，通过真空管路901与炉体1连接。

具体实施时，所述保温层设置于所述炉体1内，用于避免炉体1的热量与外界进行热交换，利于多晶硅铸锭的制备。具体实施时，保温层包括第一保温层2和第二保温层3，第一保温层2为耐火保温纤维层，第二保温层3为石墨碳砖层，通过采用耐火材料层和石墨碳砖层逐层保温，将其热传导逐渐降低，进而保证了多晶硅铸锭炉的保温性能。

具体实施时，所述炉体1顶盖8上设置有保护气进口801，利于保护气体的进入，在具体制备多晶硅铸锭过程中，长晶、退火及冷却阶段，保证保护气进口801关闭，最大限度的减少保护气及热量的损失。