[实用新型]一种尾流反馈宽调谐压控振荡器

权利要求书

1.一种尾流反馈宽调谐压控振荡器，包括振荡器本体，其中振荡器本体包括1个振荡核心电路和2个结构完全相同的输出驱动电路；振荡核心电路的两端分别连接第一输出驱动电路和第二输出驱动电路；第一输出驱动电路形成振荡器本体的一个输出端，第二输出驱动电路形成振荡器本体的另一个输出端；其中振荡核心电路包括若干条并联的开关电容支路；其特征在于：还进一步包括1个尾流阵列电路；其中尾流阵列电路包括若干条并联的尾流支路，且尾流支路的个数与开关电容支路的个数相同；该尾流阵列电路的一端同时连接第一输出驱动电路和外部偏置电压Vb，尾流阵列电路的另一端同时连接第二输出驱动电路和外部偏置电压Vb。

2.根据权利要求1所述的一种尾流反馈宽调谐压控振荡器，其特征在于：上述尾流阵列电路包括2个尾流源NMOS晶体管和若干条并联的尾流支路；

第一尾流源NMOS晶体管NM22与第二尾流源NMOS晶体管NM21的漏极相连后，再与连接第一振荡NMOS晶体管NM1和第二振荡NMOS晶体管NM2的源极相接；第一尾流源NMOS晶体管NM22与第二尾流源NMOS晶体管NM21的源极相连后，再电性接地；第一尾流源NMOS晶体管NM22的栅极分为2路，一路连接第一输出驱动电路，一路接偏置电压Vb；第二尾流源NMOS晶体管NM21的栅极分为2路，一路连接第二输出驱动电路，一路接偏置电压Vb；尾流支路的条数与开关电容支路的条数相同；每一条尾流支路包括3个尾流NMOS晶体管和1个反相器；反相器的输入端和第二尾流NMOS晶体管的栅极同时连接相应的控制电压；第二尾流NMOS晶体管的源极接直流偏置电压Vb；第二尾流NMOS晶体管的漏极、第一尾流NMOS晶体管的栅极与第三尾流NMOS晶体管的漏极相连接；反相器的输出端接第三尾流NMOS晶体管的栅极；第一尾流NMOS晶体管的漏极连接第一振荡NMOS晶体管NM1和第二振荡NMOS晶体管NM2的源极；第一尾流NMOS晶体管和第三尾流NMOS晶体管的源极电性接地。

3.根据权利要求1所述的一种尾流反馈宽调谐压控振荡器，其特征在于：上述振荡核心电路包括负阻振荡单元、开关电容阵列单元、谐振电感ind和可变电容支路；

负阻振荡单元包括交叉耦合的第一振荡NMOS晶体管NM1和第二振荡NMOS晶体管NM2，以及第一振荡PMOS晶体管PM1和第二振荡PMOS晶体管PM2；第一振荡PMOS晶体管PM1和第一振荡NMOS晶体管NM1的漏极相连后，连接第一输出驱动电路；第二振荡PMOS晶体管PM2和第二振荡NMOS晶体管NM2的漏极相连后，连接第二输出驱动电路；第一振荡PMOS晶体管PM1和第二振荡PMOS晶体管PM2的源极接电源；第一振荡NMOS晶体管NM1和第二振荡NMOS晶体管NM2的源极接尾流阵列电路；

谐振电感ind的一端与第二振荡PMOS晶体管PM2和第二振荡NMOS晶体管NM2的漏极相连，另一端与第一振荡PMOS晶体管PM1和第一振荡NMOS晶体管NM1的漏极相连；

开关电容阵列单元包括若干条并联的开关电容支路，每一条开关电容支路均包括开关NMOS晶体管、2个容值相等的开关电容和2个阻值相等的开关电阻；开关NMOS晶体管的栅极连接相应的控制电压；2个开关电容中的一个开关电容的一端连接开关NMOS晶体管的源极，另一端与第二振荡PMOS晶体管PM2和第二振荡NMOS晶体管NM2的漏极相连；2个开关电容中的另一个开关电容的一端连接开关NMOS晶体管的漏极，另一端与第一振荡PMOS晶体管PM1和第一振荡NMOS晶体管NM1的漏极相连；2个开关电阻中的一个开关电阻的一端连接开关NMOS晶体管的源极，另一端电性接地；2个开关电阻中的另一个开关电阻的一端连接开关NMOS晶体管的漏极，另一端电性接地；

可变电容支路包括第一可变电容Cv1和第二可变电容Cv2；第一可变电容Cv1和第二可变电容Cv2串联后，其一端与第二振荡PMOS晶体管PM2和第二振荡NMOS晶体管NM2的漏极相连，另一端与第一振荡PMOS晶体管PM1和第一振荡NMOS晶体管NM1的漏极相连；第一可变电容Cv1和第二可变电容Cv2的相连端与调谐电压Vtune相连。

4.根据权利要求1所述的一种尾流反馈宽调谐压控振荡器，其特征在于：每个输出驱动电路均包括1个驱动NMOS晶体管、1个驱动PMOS晶体管、2个驱动电容和1个驱动电阻；驱动PMOS晶体管的源极接电源；驱动NMOS晶体管的源极电性接地；驱动NMOS晶体管和驱动PMOS晶体管的栅极相连后，经一驱动电容与振荡核心电路相连；驱动NMOS晶体管和驱动PMOS晶体管的漏极相连后分为2路，一路经另一驱动电容后形成振荡器本体的输出端，另一路接尾流阵列电路；驱动电阻的一端连接驱动NMOS晶体管和驱动PMOS晶体管的漏极，另一端连接驱动NMOS晶体管和驱动PMOS晶体管的栅极。