[实用新型]一种透明金属网格导电膜有效
申请号: | 201520667809.X | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN205080942U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 朱文峰 | 申请(专利权)人: | 东莞市纳利光学材料有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B13/16 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 谭一兵 |
地址: | 523750 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 金属 网格 导电 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光学保护膜,尤其是涉及一种透明金属网格导电膜。
背景技术
在触摸屏显示屏幕中,透明导电薄膜(TransparentConductiveFilms,TCF)作为电极元件,是重要的组成配件之一。TCF是一种对可见光(波长范围为380nm-780nm)的透过率大于80%、电阻率低于10-3Ω·cm的薄膜。TCF的类型有很多,主要分为碳纳米管透明导电薄膜、石墨烯透明导电薄膜、金属氧化物透明导电薄膜、高分子透明导电薄膜以及金属纳米线透明导电薄膜,其中属于金属氧化物透明导电薄膜的氧化锢锡膜(ITO)因为高透光度、良导电性、容易刻蚀等优点在电子领域的应用更加广泛。然而ITO膜也存在自身的缺点:
(1)、ITO的原材料中的In属于稀有金属且不可再生,价格日益昂贵,ITO的成本也逐渐增加。
(2)、ITO的性质较脆,不适用于柔性材料(可弯曲LCD)的应用。
(3)、ITO的制备方法费用较高。
(4)、ITO有很强的吸水性,容易吸附空气中的CO:和水发生化学变化,出现“霉变”。目前,金属纳米线因为其到导电性能好、透过度高、容易制备、性质柔软等优势成为可超越ITO的首选材料。本实用新型正是基于金属纳米线材料,提供了一种透明金属网格导电膜,具有网格间隙可控,线宽及线高可调等优点。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,基于金属纳米线材料,提供了一种透明金属网格导电膜金属网格的制备方法,具有网格间隙可控,线宽和线高可调等优点,工艺简单,可实现卷对卷规模化生产。
为达到上述目的,本实用新型采用以下方案:
一种透明金属网格导电膜,包含有透明薄膜基材,透明薄膜基材上表面设有湿膜固化后形成的若干条状线条,若干条状线条组合成列状网墙与行状网墙,列状网墙与行状网墙组合成金属网格膜层,金属网格膜层外表面复合一保护膜。
在其中一些实施例中,所述湿膜厚度为5~15μm,成品后的金属网格膜层的厚度为2~9μm;列状网墙与行状网墙的线条宽度为2~8μm。
在其中一些实施例中,所述透明薄膜基材厚度为25μm~250μm。
在其中一些实施例中,所述保护膜的厚度为25~100μm;湿膜被单束UV光线灯枪组照射固化后若干线条形成列状网墙,湿膜被间歇周期发射UV面光线横向灯头照射固化后若干线条形成行状网墙。
本实用新型的产品具有网格间隙可控,线宽和线高可调等优点,工艺简单,可实现卷对卷规模化生产。
附图说明
图1为本实用新型实施例湿膜线条固化形成列状网墙的结构示意图;
图2为本实用新型实施例湿膜横条固化成为行状网墙的结构示意图;
图3为本实用新型实施例制备金属网格的示意图;
图4为本实用新型实施例成品的结构示意图。
附图标记说明:
透明薄膜基材11,湿膜12,单束UV光线灯枪13,单照射线14,列状网墙15,间歇周期发射UV面光线横向灯头16,面照射线17,行状网墙18,保护膜20。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,解析本实用新型的优点与精神,藉由以下结合附图与具体实施方式对本实用新型的详述得到进一步的了解。
实施例一
一种透明金属网格导电膜,包含有透明薄膜基材11,透明薄膜基材11上表面涂布一层湿膜12,湿膜12被单束UV光线灯枪13与间歇周期发射UV面光线横向灯头16照射固化后在透明薄膜基材11上表面形成若干条状线条,若干条状线条组合成列状网墙15与行状网墙18,固化后的列状网墙15与行状网墙18组合成金属网格膜层,金属网格膜层外表面复合一保护膜20。
透明薄膜基材11上涂布光固化导电溶液形成湿膜12,光固化导电溶液成分为稀释剂、纳米级金属线或金属微粒、光引发剂、热引发剂、KH550硅烷偶联剂、咪唑的混合溶液;
光固化导电溶液的原料组成及重量份为:
稀释剂为环氧丙烷或环氧丙烯酸脂15~25重量份;
固化剂为三乙醇胺5~15重量份;
光引发剂为2,4,6(三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦(TPO)1.0~4.0重量份;
热引发剂为过氧化二苯甲酰(BPO)0.5~3.5重量份;
纳米级金属线或金属微粒为银线、银粉或铜线、铜粉,30~50重量份;
KH550硅烷偶联剂0.08~0.2重量份;
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