[实用新型]一种根据灭磁时间检测碳化硅灭磁电阻性能的电路有效

专利信息
申请号: 201520669788.5 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN204882763U 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 刘祖浩;张元栋;胡先洪;周兴华;张凯 申请(专利权)人: 中国长江电力股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 吴思高
地址: 443002 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 根据 时间 检测 碳化硅 磁电 性能 电路
【权利要求书】:

1.一种根据灭磁时间检测碳化硅灭磁电阻性能的电路,其特征在于,电源断路器QF连接整流电路(FLZ),所述整流电路(FLZ)一端连接灭磁开关(FMK)的主触头,灭磁开关(FMK)的主触头连接励磁电流分流器(Ik)一端,励磁电流分流器(Ik)另一端连接灭磁开关(FMK)的常闭触头、电感线圈L的一端;

灭磁开关(FMK)的常闭触头连接灭磁电流分流器(Ir),灭磁电流分流器(Ir)连接灭磁电阻(SIC),灭磁电阻(SIC)连接单向硅电压二极管(FLD)的阴极;

单向硅电压二极管(FLD)的阳极、电感线圈L的另一端均连接整流电路(FLZ)另一端。

2.根据权利要求1所述一种根据灭磁时间检测碳化硅灭磁电阻性能的电路,其特征在于,所述整流电路(FLZ)为可控硅整流桥。

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