[实用新型]一种抗光致衰减的太阳电池烧结炉有效
申请号: | 201520677349.9 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN204905279U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 崔艳峰;陈奕峰;王子港;丁志强;施立豪;顾卫龙;皮尔威灵顿 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗光致 衰减 太阳电池 烧结炉 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳电池的烧结炉,尤其涉及一种抗光致衰减的太阳电池烧结炉,用于量产抗光致衰减的改善型太阳电池,属于太阳电池生产技术领域。
背景技术
在光伏行业中,P型晶硅太阳电池占据着绝对的市场。尤其是近两年随着对高功率组件的需求的增加,单晶P型PERC电池在未来可能会逐渐占据越来越大的市场。但是P型晶硅太阳电池一直存在的一个瓶颈就是光致衰减LID。光致衰减(light-induceddegradation:LID)是指晶硅太阳能电池经过光照后电池效率下降的现象,在P型单晶电池上最明显,衰减比可以达到相对比3%-7%;其次是多晶,衰减比也在1%-1.5%之间。以常见的标准商业60片多晶组件为例,电池效率为17.5%,那么由于LID现象造成的组件输出功率损耗约在2.55W-4W之间。而单晶P型电池片远高于这个范围。目前普遍被认可的解释是由于B-O复合中心造成的。基于此,目前各公司的P型晶硅产品都被光致衰减所困扰,难以通过可靠性的认证,,尤其是PERC电池,这也影响了其产业化。
发明内容
本实用新型针对现有技术中存在的上述缺陷,提供一种抗光致衰减的改善型烧结炉量产设备,通过使电池片均匀的经过一段恒定光照恒定温度的处理,可以改善P型电池普遍存在的光致衰减问题,降低衰减,同时还可以小幅度提高电池的光电转换效率,从而达到生产高效高可靠性太阳电池的目的。
为此,本实用新型采用如下技术方案:
一种抗光致衰减的的太阳电池烧结炉,包括烧结炉本体(1)及烧结炉的冷却区(2),电池片(100)经由传送带(3)依次经过烧结炉本体(1)和冷却区(2),其特征在于:在所述冷却区(2)的外周设置保温箱体(4),在保温箱体(4)内、传送带的上方设置有若干光源(5),在电池片(100)的下方设置有若干加热器件(6),在电池片(100)的下方、沿电池片(100)传送方向还设置有若干冷却装置(7)。本发明通过将传统的烧结工艺与降低光致衰减的光照下加热工艺相结合,在传统烧结炉的冷却区设置保温箱体,保温箱体内设置光源和加热器件,使电池片均匀地经过一段恒定光照恒定温度的处理,可以小幅度提高电池的光电转换效率,同时还可以改善P型电池普遍存在的光致衰减问题,从而达到生产高效高可靠性太阳电池的目的;另一方面,有效利用了烧结炉后半段的温度,作为光照下加热的预热区,有效地节约了能源,降低了生产成本。
进一步地,所述冷却装置(7)为水冷或者风冷。取材方便,冷却效果好。
进一步地,所述加热器件(6)设置在保温箱体(4)入口处和电池片(100)下方。以快速达到恒温效果。
进一步地,所述的光源(5)为卤素灯,强度范围为0.1×103w/m2~3×106w/m2。使光源同时提供加热和光照的作用。
进一步地,所述的加热器件(6)为卤素灯或者加热电阻丝,加热温度范围为120℃~400℃。加热效果好,控制方便。
进一步地,所述传送带(3)为单排电池片传送或者多排电池片传送。适用范围广。
因此,本发明通过将传统的烧结工艺与降低光致衰减的光照下加热工艺相结合,一方面可以降低能量浪费,节约成本;另一方面实现了高效高可靠性P型晶硅电池的批量生产。
附图说明
图1为本实用新型的一种抗光致衰减的改善型烧结炉量产设备的示意图;
其中,1为烧结炉本体,2为冷却区,3为传送带,4为保温箱体,5为光源,6为加热器件,7为冷却装置,100为电池片。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案,下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述,本实用新型中与现有技术相同的部分将参考现有技术。
如图1所示,本实用新型的改进结构的太阳电池烧结炉,包括烧结炉本体1及烧结炉的冷却区2,烧结炉本体1内依次包括预热区、排胶区、升温区、烧结区和降温区,在烧结工序中,电池片100经由传送带3依次经过烧结炉本体1内的各区及冷却区2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520677349.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的