[实用新型]半导体二极管有效
申请号: | 201520678677.0 | 申请日: | 2015-09-03 |
公开(公告)号: | CN204966507U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 叶惠东 | 申请(专利权)人: | 苏州高新区华成电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/488 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215153 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 二极管 | ||
1.一种半导体二极管,包括芯片以及包覆在芯片外部的外壳,其特征在于:所述外壳两端均设有滑槽,所述滑槽底壁设有与芯片相连的静触点,所述滑槽内滑移连接有引脚,所述引脚能够与静触点抵接,所述滑槽内设有定位引脚的定位部件。
2.根据权利要求1所述的半导体二极管,其特征在于:滑槽内滑移连接有滑块,所述引脚固定设置在滑块上,所述定位部件包括倾斜固定设置在滑槽侧壁上的弹片。
3.根据权利要求2所述的半导体二极管,其特征在于:所述引脚与滑块采用螺纹连接。
4.根据权利要求2或3所述的半导体二极管,其特征在于:所述滑槽侧壁上沿滑槽长度方向设有导轨,所述滑块上设有与导轨配合的凹槽。
5.根据权利要求4所述的半导体二极管,其特征在于:所述导轨端部设有倒角结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州高新区华成电子有限公司,未经苏州高新区华成电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520678677.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光伏太阳能电池组件焊带
- 下一篇:台球桌升平器
- 同类专利
- 专利分类