[实用新型]一种新型MOS管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件技术领域，尤其涉及一种新型MOS管。

背景技术

MOS管是金属(Metal)-氧化物(Oxid)-半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOS管包括源极、漏极、栅极、衬底。假设源极和衬底都接地，漏极接正电压。只要栅极对衬底的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成沟道。漏极和衬底之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从漏极流向衬底。如果栅极电压超过了阈值电压，在栅极电介质下就出现了沟道。这个沟道就像一薄层短接漏极和源极的N型硅。由电子组成的电流从源极通过沟道流到漏极。总的来说，只有在栅极对源极电压V超过阈值电压Vt时，才会有漏极电流。

晶体管有N型沟道所有它称为N-沟道MOS管，或NMOS。P-沟道MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型衬底和P型源极和漏极组成的PMOS管。如果这个晶体管的栅极相对于衬底正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有沟道形成。如果栅极相对于衬底反向偏置，空穴被吸引到表面，沟道形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。现有的MOS管，尤其是贴片式MOS管，在安装过程中，通常需要对其进行散热处理，其处理方式主要是增加MOS管与PCB板之间的间隙，增强其散热性能，但是此种方式不利于超薄型产品的设计，且空气的传热性能相对较低，散热效率较低。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种选应用于超薄型产品的贴片式MOS管，降低超薄产品的设计难度，另一方面提高MOS管的散热效率。

实现上述技术目的，所采用的技术手段是：

一种新型MOS管，其中：包括

半导体器件；设置有复数个引脚；

底板，

盖板，所述底板与所述盖板之间形成一用以容纳所述半导体器件的空腔，所述空腔预制有用以延伸所述引脚的槽口；

其中，于所述底板底部设置一镀锡层。

优选地，上述的新型MOS管，其中：所述引脚设置有第一弯折部、第二弯折部、第三弯折部，所述第二弯折部倾斜连接所述第一弯折部与所述第三弯折部。

优选地，上述的新型MOS管，其中：所述第二弯折部的垂直方向的距离为所述底板厚度与所述镀锡层厚度之和。

优选地，上述的新型MOS管，其中：所述底板为顶部开口的盒体。

优选地，上述的新型MOS管，其中：所述盖板为底部开口的盒体，所述盖板的底部开口匹配所述底板的顶部开口。

优选地，上述的新型MOS管，其中：所述引脚为扁平引脚。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：通过在新型MOS管的所述底板底部设置一镀锡层。在安装过程中，底板朝向PCB板，及相当于利用了MOS管与PCB板之间的孔隙形成一镀锡层，镀锡层的传导效率较高，因为其散热效率也较高，增强MOS管的散热效率，在保存同等散热效率的前提下，镀锡层占用较薄的空间，有利于产品进行超薄化设计。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

如图1所示，一种新型MOS管，其中：包括

半导体器件；设置有复数个引脚1；

底板2，

盖板3，所述底板2与所述盖板3之间形成一用以容纳所述半导体器件的空腔，所述空腔预制有用以延伸所述引脚1的槽口；

其中，于所述底板2底部设置一镀锡层4。