[实用新型]一种电压档位控制电路

说明书

技术领域

本实用新型实施例涉及电子电路技术，尤其涉及一种电压档位控制电路。

背景技术

资料储存型闪存(NANDFlash)具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

NANDFlash的编程和擦除需要30V高压，而提供NANDFlash编程和擦除时所需电压的电路中，通常使用P沟道金属氧化物半导体型场效应管(PMOS管)，但基于目前的工艺，制造耐压30V的PMOS管的成本很高。

实用新型内容

本实用新型提供一种电压档位控制电路，以实现输出电压范围大，降低成本。

本实用新型实施例提供了一种电压档位控制电路，包括：电荷泵、分压系统、比较器和电源，所述分压系统包括：

由至少一个一级分压阻抗元件串联形成的一级分压支路，每个一级分压阻抗元件的首端作为一个一级分压点，所述一级分压支路的首端作为所述分压系统的输入端；

至少一个N沟道金属氧化物半导体型场效应管NMOS，所述NMOS管的漏极与所述电荷泵的输出端连接，所述NMOS管的栅极与一级控制信号输出端连接，各所述NMOS管的源极与各所述一级分压点一一对应相连；

由至少一个二级分压阻抗元件串联形成的二级分压支路，每个二级分压阻抗元件的首端作为一个二级分压点；

至少一个P沟道金属氧化物半导体型场效应管PMOS，各所述PMOS管的漏极与各所述二级分压点一一对应相连，所述PMOS管的栅极与二级控制信号输出端连接，各所述PMOS管的源极分别与所述一级分压支路的末端相连；

接地阻抗元件，所述二级分压支路的末端通过所述接地阻抗元件接地，且作为所述分压系统的输出端；

所述电荷泵，和所述电源和所述分压系统的输入端分别相连，所述分压系统的输出端和所述比较器的反相输入端连接，所述比较器的同相输入端连接恒定参考电压，输出端连接所述电荷泵的使能端。

进一步的，所述电压档位控制电路，还包括：

非门，所述比较器的输出端通过所述非门和所述电荷泵的使能端连接，相应的，所述分压系统的输出端和所述比较器的同相输入端连接，所述比较器的反相输入端连接恒定参考电压。

进一步的，单个所述一级分压阻抗元件的电阻抗值大于等于所有二级分压阻抗元件的电阻抗值之和；

接地阻抗元件和单个二级分压阻抗元件的电阻抗值相等。

进一步的，所述NMOS管为耗尽型NMOS管，耐压30V以上；

所述PMOS管为耗尽型PMOS管，耐压7V以上。

进一步的，所述电压档位控制电路，还包括：

前端阻抗元件，连接在所述电荷泵的输出端和所述一级分压支路的首端之间。

进一步的，所述一级分压阻抗元件、二级分压阻抗元件、接地阻抗元件包括下述中的至少一个：

电阻、二极管、金属氧化物半导体型场效应管。

进一步的，一级分压电阻的阻值为50K欧姆；

二级分压电阻的阻值为10K欧姆；

接地电阻的阻值为10K欧姆。

进一步的，所述一级分压阻抗元件和所述前端阻抗元件的类型相同；

所述二级分压阻抗元件和所述接地阻抗元件的类型相同。

进一步的，所述恒定参考电压的电压值为1V。

本实用新型通过两级分压支路，不需使用高成本的PMOS管，解决电压档位控制电路制造成本高的问题，实现降低成本的效果。

附图说明

图1为现有技术的电压档位控制电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一中的一种电压档位控制电路中分压系统的电路图；

图3是本实用新型实施例二中的一种电压档位控制电路的结构示意图；

图4是本实用新型实施例三中的一种电压档位控制电路中分压系统的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

实施例一

图1为现有技术的电压档位控制电路的结构示意图，如图1所示，电压档位控制电路包括：电荷泵、分压系统、比较器和电源。

其中，电荷泵，和电源和分压系统分别相连，用于输出高于电源电压的输出电压VH，输出到分压系统的输入端；