[实用新型]一种扁平化能量传递装置有效
申请号: | 201520689862.X | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN205080998U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 刘文斌 | 申请(专利权)人: | 刘文斌 |
主分类号: | H01F38/14 | 分类号: | H01F38/14;H01F27/28;H05K1/16 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林 |
地址: | 516007 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扁平 能量 传递 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种能量传递装置,具体地说是一种能够更好进行能量传递的变压器。
背景技术
很多设备中都安装有相应的变压器,用于实现能量的传递。传统的变压器一般都是把漆包线绕制在刚性的铁芯,非磁性骨架或者柔性的软管上构成。为了提高互感系数增大感应电压,一般在绕制线圈时会在骨架上来回反复绕制多层漆包线,以增加线圈的匝数。这样的方法会带来以下一些问题:
每层线圈的横截面积和线长不统一。最内层的线圈是直接绕制在骨架上的,因此最内层线圈的横截面积就是骨架的横截面积。而外层的线圈是绕制在内层线圈的基础上的,因此在计算它的横截面积时必须考虑内层线圈的厚度。这样就导致每多绕一层线圈,其横截面积就多增加一层线圈的厚度,并且越是外层的线圈,单层线长也会越长。在评估线圈互感时,每层线圈的横截面积和线长不统一就会带来误差。
由于外层线圈直接绕制在内层线圈之上,两层线圈之间距离很近,导致层与层之间会存在较大的寄生电容,层数越多,寄生电容也就越大。这些寄生电容会降低线圈的频率响应及带宽,导致感应出来的电压信号和被测电流信号出现偏差。特别在测量雷击电流和浪涌电流等快速变化信号的场合,寄生电容的影响更加明显,很容易将线圈击穿损坏。而多层线圈的绕线不均匀会带来信号干扰的问题。此外,传统变压器的初级线圈和次级线圈很难做到完全重叠,使得能量的传递密度较小,而且磁场泄漏大幅度降低。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能量传输密度大、磁场泄漏大幅度降低的扁平化能量传递装置。
为了解决上述技术问题,本实用新型采取以下技术方案:
一种扁平化能量传递装置,包括压合扣件和扁平化线圈,压合扣件将扁平化线圈压合扣紧,所述扁平化线圈由PCB板和贴装在该PCB板的上表面和下表面的磁环线圈构成,PCB板上设有与磁环线圈相接的连接端。
所述PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈大小一致。
所述PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈的绕圈匝数相同。
所述PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈在该PCB板上的对称位置相互重叠。
所述磁环线圈一体成型在PCB板上。
所述PCB板为印刷线路、雕刻线路、浸入式线路或腐蚀式线路工艺制作的电路板。
所述PCB板为矩形或者非矩形。
本实用新型以PCB板为基板,通过在该PCB板的上表面和下表面贴装磁环线圈,通过将上述PCB板叠加在一起形成能量传递装置(变压器),制作简单,生产成本较低,磁场泄漏大幅度降低。能够将上表面和下表面的磁环线圈相互重叠,使得能量传输密度更大。并且磁环线圈之间的绝缘层均匀可控,有效防止由于传统漆包线的漆层品质问题导致的线圈击穿问题,通过在PCB板上一体化设计,实现标准接口,不易出现电磁电磁兼容问题。
附图说明
附图1为本实用新型分解状态结构示意图;
附图2为本实用新型中单个PCB板的结构示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如附图1和2所示,一种扁平化能量传递装置,包括压合扣件2和扁平化线圈,压合扣件将扁平化线圈压合扣紧,所述扁平化线圈由PCB板1和贴装在该PCB板1的上表面和下表面的磁环线圈3构成,PCB板上设有与磁环线圈相接的连接端4。该磁环线圈直接一体成型在PCB板上,结构更加牢靠,而且不会再现电磁兼容问题。该PCB板为印刷线路、雕刻线路、浸入式线路或腐蚀式线路工艺制作的电路板。
此外,PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈大小一致。PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈的绕圈匝数相同。PCB板上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈在该PCB板上的对称位置相互重叠。即以PCB板为中间板,上表面的磁环线圈和下表面的磁环线圈对称设置在该PCB板,实现完全重叠,保证能量传输密度最大化。
本实用新型中,将多个PCB板压合在一起就形成一个能量传递装置即变压器,磁环线圈之间的绝缘层均匀可控,有效防止由于传统漆包线的漆层品质问题导致的线圈击穿问题。PCB板上表面的磁环线圈为初级线圈/次级线圈,下表面的磁环线圈则为相应的次级线圈/初始线圈,从而使得初级线圈与次级线圈能够进行位置的完全重叠设定,最大化能量传输密度。
需要说明的是,以上所述并非是对本实用新型技术方案的限定,在不脱离本实用新型技术方案的创造构思的前提下,任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。
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