[实用新型]一种用于校准模拟集成电路的装置

权利要求书

1.一种用于校准模拟集成电路的装置，其特征在于，包括：存储单元阵列、熔断控制单元、存储信息检测单元和逻辑控制单元；其中，

所述熔断控制单元接收用于校准模拟集成电路的第一信息，并且在所述逻辑控制单元的烧写使能信号的控制下，输出熔断信号；

所述存储单元阵列根据所述熔断信号，存储第二信息，并且通过检测节点输出存储的所述第二信息；

所述存储信息检测单元根据所述逻辑控制单元的检测使能控制信号，通过检测节点读取存储的所述第二信息；

所述逻辑控制单元用于向所述熔断控制单元输出烧写使能信号，以及向所述存储信息检测单元输出检测使能控制信号，并判断所述第二信息和所述第一信息是否一致，确定是否就所述第一信息重新发出所述烧写使能信号；在模拟集成电路工作期间，则输出存储的所述第二信息。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述存储单元阵列包括由一个或多个存储单元并联而成；

所述存储信息检测单元，可以同时对所述存储单元阵列进行整体所述第二信息检测，亦可依次每次只对一个所述存储单元进行所述第二信息检测；

所述熔断控制单元，可以依次每次只对一个所述存储单元进行烧写操作，亦可同时对所述存储单元阵列进行整体烧写操作。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述存储单元包括：反相器链、第一PMOS管、上拉电阻和熔丝；其中，

所述反相器链的输入端与所述熔断控制单元的输出端相连，所述反相器链的输出端与所述上拉电阻以及所述第一PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的源极与所述上拉电阻的另一端连接电源，其漏极与所述熔丝的一端相连，其连接点设置为所述检测节点，所述熔丝的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述存储单元具体用于：

接收所述熔断信号，所述熔断信号通过所述反相链提高驱动能力，将所述第一PMOS管导通，在所述第一PMOS管上产生大电流，在检测过程中，通过所述熔丝是否熔断确定检测节点的逻辑值。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的装置，其特征在于，所述存储信息检测单元包括：施密特反相器、开关和熔丝；

所述熔丝的一端接地，所述施密特反相器的输入端与所述检测节点连接，其输出端与所述逻辑控制单元连接；所述施密特反相器的输入端与所述检测节点的连接点分别与所述开关的一端以及所述熔丝的另一端连接，所述开关的另一端接电源；所述施密特反相器与所述开关受控于所述检测使用控制信号；或者，

所述熔丝的一端接电源，所述施密特反相器的输入端与所述检测节点连接，其输出端与所述逻辑控制单元连接；所述施密特反相器的输入端与所述检测节点的连接点分别与所述开关的一端以及所述熔丝的另一端连接，所述开关的另一端接地；所述施密特反相器与所述开关受控于所述检测使用控制信号；

通过所述检测使能控制信号控制形成电源流经所述熔丝到地的小电流导通路径，所述施密特反相器检测检测节点的电压，并输出所述第二信息。

6.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的装置，其特征在于，所述存储信息检测单元包括：可控电流源、比较器和熔丝；

所述熔丝的一端接地，所述可控电流源的输入端接电源，其输出端连接到所述检测节点；所述可控电流源的输出端与所述检测节点的的连接点分别与所述熔丝的另一端及所述比较器输入端的一端连接，所述比较器输入端的另一端连接基准参考电压，其输出端与所述逻辑控制单元连接；所述比较器与所述可控电流源受控于所述检测使能控制信号；或者，

所述熔丝的一端接电源，所述可控电流源的输出端接地，其输入端与所述检测节点连接；所述可控电流源的输入端与所述检测节点的连接点分别与所述熔丝的另一端以及所述比较器输入端的一端连接，所述比较器输入端的另一端连接基准参考电压，其输出端与所述逻辑控制单元连接；所述比较器与所述可控电流源受控于所述检测使能控制信号；