[实用新型]一种S波段倍频程上变频器

权利要求书

1.一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：本变频器包括第一滤波放大电路(10)，第二滤波放大电路(20)，第三滤波放大电路(30)，第一混频电路(40)，第二混频电路(50)，第一本振放大电路(60)，第二本振放大电路(70)，功分电路(80)，检测电路(90)；所述第一滤波放大电路(10)的输入端连接射频输入信号，所述第一本振放大电路(60)、第二本振放大电路(70)的输入端均连接本振输入信号，所述第一滤波放大电路(10)和第一本振放大电路(60)的输出端均连接第一混频电路(40)的输入端，所述第一混频电路(40)的输出端连接第二滤波放大电路(20)的输入端，所述第二滤波放大电路(20)和第二本振放大电路(70)的输出端连接第二混频电路(50)的输入端，所述第二混频电路(50)的输出端连接第三滤波放大电路(30)的输入端，所述第三滤波放大电路(30)的输出端连接功分电路(80)的输入端，所述功分电路(80)的输出端连接检测电路(90)的输入端。

2.如权利要求1所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第一滤波放大电路(10)包括第一腔体滤波器(N1)和第一放大器(N2)，所述第一腔体滤波器(N1)的输入端通过电容C18与输入信号相连、输出端通过电容C1连接第一放大器(N2)的输入端，所述第一放大器(N2)的输出端分别连接电感L1、电容C3的一端，电感L1的另一端连接电阻R1、电容C2的一端，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R1的另一端连接电容C22、电容C24的一端、以及+5V电源，所述电容C22、电容C24的另一端接地，所述电容C3的另一端连接π衰减器的输入端，所述π衰减器的输出端通过电容C4连接第一混频电路(40)的输入端。

3.如权利要求2所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第一本振放大电路(60)包括第二放大器(N3)和π衰减器；所述π衰减器的输入端通过电容C35连接本振输入信号，所述π衰减器的输出端通过电容C36连接第二放大器(N3)的输入端，所述第二放大器(N3)输出端通过电容C38连接第一混频电路(40)的输入端。

4.如权利要求3所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第一混频电路(40)、第二混频电路(50)芯片型号均为美国Hittite公司生产的HMC554LC3B；所述第一混频电路(40)的输出端通过电容C39连接第二滤波放大电路(20)。

5.如权利要求4所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第二滤波放大电路(20)包括第二腔体滤波器(N5)、第三放大器(N6)、以及π衰减器；所述第二腔体滤波器(N5)的输入端连接第一混频电路(40)的输出端，所述第二腔体滤波器(N5)的输出端通过电容C47连接第三放大器(N6)的输入端，所述第三放大器(N6)的输出端通过电容C42连接π衰减器的输入端，所述π衰减器的输出端通过电容C41连接第二混频电路(50)的输入端。

6.如权利要求5所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第三滤波放大电路(30)包括第三腔体滤波器(N9)，所述第三腔体滤波器(N9)的输入端通过电容C5连接第二混频电路(50)的输出端、输出端通过电容C8连接第四放大器(N10)的输入端，所述第四放大器(N10)的输出端通过电容C7连接π衰减器的输入端，所述π衰减器的输出端通过电容C9连接第五放大器(N11)的输入端，所述第五放大器(N11)的输出端通过电容C11连接功分电路(80)的信号输入端。

7.如权利要求6所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述功分电路(80)包括第一功分器、第二功分器、第三功分器；所述第三滤波放大电路(30)的输出端连接第一功分器的输入端，所述第一功分器的两个输出端分别连接第二功分器、第三功分器的输入端，所述第二功分器的第一输出端连接电阻R21后接地，所述第二功分器的第二输出端连接电容C12后输出信号，所述第三功分器的第一输出端连接电容C13后输出信号，所述第三功分器的第二输出端通过电容C14连接检测电路(90)的输入端。

8.如权利要求7所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述检测电路(90)包括π衰减器、检波器、比较器；所述π衰减器的输入端连接功分电路(80)的输出端，所述π衰减器的输出端连接检波器的输入端，所述检波器的输出端连接比较器的输入端。

9.如权利要求8所述的一种S波段倍频程上变频器，其特征在于：所述第一放大器(N2)、第四放大器(N10)、第五放大器(N11)的型号均为美国Hittite公司生产的HMC311；所述第二放大器(N3)的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LM1；所述第三放大器(N6)型号为AMMP-6220；所述检波器型号为美国AD公司生产的AD8318；所述比较器型号为LM2903D。