[实用新型]一种应用于电路中的ESD防护电路有效

专利信息
申请号: 201520710426.6 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN204967250U 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 凌斌 申请(专利权)人: 惠州市康冠科技有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H9/04
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 蒋剑明
地址: 516025 广东省惠*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 电路 中的 esd 防护
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及ESD防护装置,具体是指一种应用于电路中的ESD防护电路。

背景技术

随着电子技术的发展,电子设备的应用越来越广泛,不仅是高技术领域如航天航空设备,也渗透到了人们生活的方方面面,如家居电器、通信设备、医疗设备等,ESD随处不在,ESD问题对设备的正常工作一直是一个严重威胁,如何防护ESD,保证设备的正常工作,是一个长期困扰工程师的难题。ESD:Electro-Staticdischarge,即静电放电。静电在生活中非常常见,特别是在电子产品生产,运输,储存及使用过程中很容易出现,当静电积累(EOS)到一定程度,会产生一定程度的能量,该能量会对电子设备造成不可逆的损坏。

为了防止静电放电造成的损伤,目前解决静电干扰的方法有多种,比较常见的一种是在器件上增加放电管等器件,这种方式虽然可以有效的缓解IC承受的静电能力,但采用放电管成本昂贵;另一种是常见的方式是对生产及运输环境进行静电清理工作,但电子产品在生产,储存及使用时随时都能产生ESD的积累,这样就需要在生产及运输多个环节安排人力进行静电清理防护,造成较高的人工成本及设备成本。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种减少ESD清理频率及减少人工成本的应用于电路中的ESD防护电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种应用于电路中的ESD防护电路,用于对被控芯片以及主控芯片进行静电放电保护,其特征在于:包括π型滤波电路,所述π型滤波电路连接在主控芯片输入输出端子与被控芯片的公共端子之间,所述π型滤波电路包括若干个依次串联的限流电阻R1至Rn,所述n为大于1的自然数,所述限流电阻R1、限流电阻Rn上并联有分压电容,所述分压电容至少包括2个相互串联的第一电容和第二电容,所述第一电容和第二电容的公共端接地。

优选的,所述n为大于或等于4的偶数。

本实用新型相比现有技术具有以下优点及有益效果:

1、通过在控制芯片之间串接π型滤波电路,当静电或其他干扰信号串入环路时,可通过π型滤波电路进行滤除及通过RC方式吸收,在主控芯片、被控芯片自身能承受一定的ESD防护能力的基础上,再加入本电路后可以大大提高芯片的抗干扰能力,提高了产品的静电防护等级,保障产品在生产与使用过程中不易损害,从而可以减少ESD清理频率及减少人工成本。

2、本实用新型从传播路径上滤除ESD干扰,可以解决电子产品在不同环境中的ESD防护适应能力;并采用价格低廉的原材料,减少对产品的成本影响。

3、本实用新型除了能解决ESD防护问题外,还能过滤因电磁辐射等干扰信号对IC的干扰。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

如图1,一种应用于电路中的ESD防护电路,用于对被控芯片以及主控芯片进行静电放电保护,其特征在于:包括π型滤波电路,所述π型滤波电路连接在主控芯片输入输出端子与被控芯片的公共端子之间,所述π型滤波电路包括若干个依次串联的限流电阻R1至Rn,所述n为大于1的自然数,所述限流电阻R1、限流电阻Rn上并联有分压电容,所述分压电容至少包括2个相互串联的第一电容和第二电容,所述第一电容和第二电容的公共端接地。

本实施例中,所述n为大于或等于4的偶数,所述限流电阻R1至R4的电阻值均相同。作为一种优选方式,所述n等于4,这样可以确保ESD信号由限流电阻R2与限流电阻R3中间的电路进入,使电路中阻性器件与容性器件产生限流及分压作用。

由于主控芯片向被控芯片传输信号时,当干扰信号进入传输电路后易引起被控芯片的误判断,引起整个电路的震荡,特别是当静电信号进入传输电路后,甚至可能击穿被控芯片以及主控芯片。本实用新型在控制芯片之间串接两组C-R-C–R的π型滤波电路,当静电或其他干扰信号串入环路时,可通过π型滤波电路进行滤除及通过RC方式吸收,在主控芯片、被控芯片自身能承受一定的ESD防护能力的基础上,再加入本电路后可以大大提高芯片的抗干扰能力,提高了产品的静电防护等级,保障产品在生产与使用过程中不易损害,从而可以减少ESD清理频率及减少人工成本。其中,具体抗ESD能力主要与电阻阻抗、电容的有效电阻及容量有关。电容ESR越小,其瞬态吸收能力越高。此处一般使用低ESR小容量的电容。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。

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