[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201520714663.X | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN204905256U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 徐敬义;杨波;任艳伟;刘宇;赵欣;赵艳艳;赵二鹏;王志强;张伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/60;G09G3/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
ESD(Electro-StaticDischarge,静电放电)对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。理论上讲,GND(接地点)位于IC(IntegratedCircuit,集成电路)的位置,在GND处,ESD损伤Panel(显示面板)的概率最小。但是根据实际测试的结果,Panel不良的主要位置集中在GND附近,可以这样认为,虽然IC侧连接着GND,但ESD产生的电流过大,超过了GND的保护能力。所以推断边缘等效电阻越大,ESD越容易通过GND保护电路导出,越不容易造成Panel不良。
在电子产品上形成的静电,没有明确的释放途径,当静电达到一定程度时,会对电子产品造成损伤。现有技术中,在阵列基板上制造接地点,通过特定的电连接将基板上的静电进行释放;每一次静电释放,都会造成元器件损伤,但是没有造成不可恢复的破坏,故能继续工作。但是随着持续的ESD轰击,最终电子产品会产生永久性损伤。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,具有更好的静电防护效果。
基于上述目的本实用新型提供的阵列基板,包括组成GND保护电路的第一导电图形和第二导电图形,所述第一导电图形包括多个间隔设置的第一导电线段,相邻第一导电线段之间通过第二导电图形相连接,所述第一导电线段与所述第二导电图形之间间隔有绝缘层,所述第一导电线段和所述第二导电图形通过贯穿所述绝缘层的过孔连接。
可选的,所述第一导电线段为采用透明导电层形成。
可选的,所述第二导电图形为采用源漏金属层或栅金属层形成。
可选的,所述第二导电图形包括多个间隔设置的第二导电线段,所述第二导电线段对应相邻第一导电线段之间的间隙设置。
可选的,所述第一导电线段的宽度与所述第二导电图形的宽度不同。
可选的,所述第二导电图形的宽度为第一导电线段宽度的一半。
可选的,所述第一导电线段的长度大于第一导电线段之间间隙的长度。
可选的,所述绝缘层为钝化层。
同时,本实用新型提供一种显示面板,包括本实用新型任意一项实施例所提供的阵列基板。
进一步,本实用新型还提供一种显示装置,包括本实用新型任意一项实施例所提供的阵列基板。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的阵列基板、显示面板及显示装置,具有设置于阵列基板周边的特殊导电图形,该导电图形具有至少两层导电物质,这两层导电物质之间通过过孔形成电连接,由于两个膜层形成电连接的过孔处电阻较大,使得整个导电图形具有较大的电阻,从而能够具有更好的静电防护作用,达到了防止ESD损伤的技术效果,解决了产品信赖性中ESD测试NG的技术问题。本实用新型通过利用膜层间电阻差异,达到了在设置导电图形的基础上进一步增加接触电阻,加之过孔处电阻较大,进而解决了因导电图形的导线电阻过小,无法抵御ESD的技术问题。
此外,本实用新型实施例提供的阵列基板,利用透明导电层以及源漏金属层、或透明导电层以及栅金属层作为导电图形的膜层物质,能够利用显示面板本身的膜层,无需新增膜层,同时能够在显示面板中的膜层形成的过程中同时形成导电图形的膜层,从而具有较为简单的制造工艺。本实用新型不用增加任何多余Mask,不用改变膜层厚度,不用增加工序,不会降低产能,达到了抗击ESD的效果本实用新型通过对ESD损伤机理的分析,确认了改善ESD的方法并提出了改善方案。
附图说明
图1为本实用新型实施例的阵列基板结构示意图;
图2为本实用新型另一实施例的导电图形结构示意图;
图3为本实用新型另一实施例的导电图形宽度设计示意图;
图4A为现有技术的导电图形在阵列基板上设置方式示意图;
图4B为现有技术的导电图形等效电路图;
图5为本实用新型实施例的等效电路图。
具体实施方式
为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的