[实用新型]具有应力补偿效应垒层的LED外延结构

权利要求书

1.具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、浅量子阱层（5）、有源区（6）、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区（6）与电子阻挡层（7）之间设有应力补偿效应垒层（601），所述应力补偿效应垒层（601）从下至上依次包括本征半导体层（611）、N型半导体层（612）和P型半导体层（613）；所述本征半导体层（611）从下至上依次包括U-GaN层（10）、U-AlGaN层（11）和U-InGaN层（12），或者从下至上依次包括U-AlGaN层（11）、U-InGaN层（12）和U-GaN层（10）；所述N型半导体层（612）从下至上依次包括N-AlGaN层（13）和N-InGaN层（14），或者从下至上依次包括N-InGaN层（14）和N-AlGaN层（13）；所述P型半导体层（613）从下至上依次包括P-AlGaN层（15）和P-InGaN层（16），或者从下至上依次包括P-InGaN层（16）和P-AlGaN层（15）。

2.根据权利要求1所述的具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，其特征在于：所述应力补偿效应垒层（601）在氮气、氢气或者氢氮混合环境中生长。

3.根据权利要求1或2所述的具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，其特征在于：所述应力补偿效应垒层（601）中U-GaN层（10）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm；U-AlGaN层（11）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中Al组分为0.1-0.4；U-InGaN层（12）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中In组分为0.02-0.2；N-AlGaN层（13）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中Al组分为0.1-0.4，Si的参杂浓度为5×10¹⁷-1×10¹⁹；N-InGaN层（14）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中In组分为0.02-0.2，Si的参杂浓度为5×10¹⁷-1×10¹⁹；P-AlGaN层（15）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中Al组分为0.1-0.4，Mg的参杂浓度为5×10¹⁷-1×10²⁰；P-InGaN层（16）的生长温度为700-900℃,生长压力为200-600mbar,生长厚度为1-20nm，其中In组分为0.02-0.2，Mg的参杂浓度为5×10¹⁷-1×10²⁰。

4.根据权利要求3所述的具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，其特征在于：所述图形化衬底（1）使用图形化蓝宝石衬底、平衬底、非极性衬底、Si衬底或者SiC衬底任一种。