[实用新型]一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路有效
申请号: | 201520726975.2 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN204966055U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 阮为 | 申请(专利权)人: | 芯佰微电子(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C7/24 | 分类号: | G11C7/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 安全 芯片 密钥 只读存储器 保护 电路 | ||
1.一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,包括解密电路、秘钥生成电路、数据存取电路和只读存储器;所述解密电路分别连接秘钥生成电路、数据存储电路和只读存储器。
2.如权利要求1所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述秘钥生成电路产生固定二进制数字序列的密钥送给解密电路,只读存储器存储经加密处理后的密文,只读存储器中的密文由解密电路根据密钥处理后,送给数据存取电路。
3.如权利要求2所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述秘钥生成电路包括密钥位恢复模块和线性反馈移位寄存器。
4.如权利要求3所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述密钥位恢复模块由多个基于内部组合延时路径构成的秘钥位恢复电路组成,包括至少二个密钥密钥位恢复电路。
5.如权利要求4所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述秘钥位恢复电路包含两路组合逻辑延时电路路径和一个上升沿触发器,组合逻辑延时电路路径由缓冲器组成,对外部输入的时钟信号进行延时,通过在电路设计中调节缓冲器的驱动能力,使两路组合路径的延时不同,两路路径的尾端分别连接在触发器的输入数据D端和时钟CK端,触发器的输出数据Q端作为密钥位种子输出。
6.如权利要求5所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述线性反馈移位寄存器把密钥位恢复电路产生的种子加载入寄存器内进行移动和xor扰乱,输出给解密电路作为密钥。
7.如权利要求6所述的内建密钥只读存储器保护电路,其特征在于,所述线性反馈移位寄存器包括至少二个寄存器电路。
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