[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201520727662.9 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN204991712U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | N·阿米德;M·马蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体层(1)；
绝缘层(51、53、55)的堆叠(3)，安置在所述半导体层的背侧(F1)上；
导电层部分(59)，沿着所述堆叠(3)的高度的一部分延伸并且与所述堆叠的暴露的表面齐平；
侧面绝缘的导电指(57)，从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且穿透到所述层部分(59)中；
侧面绝缘的导电壁(25)，将像素区域分离，这些壁从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且具有低于所述指(57)的高度；以及
互连结构(5)，安置在所述半导体层(1)的前侧(F2)上并且包括与所述指(57)接触的过孔(13)。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体层(1)由硅制成。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述堆叠连续地包括安置在所述背侧(F1)上的第一氧化硅层(51)、氮化硅层(53)以及第二氧化硅层(55)。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述壁(25)穿过所述第一氧化层(51)并且穿透到所述氮化硅层(53)中，所述指(57)穿过所述第一氧化层和所述氮化硅层，并且所述层部分(59)沿着所述第二氧化物层(55)的整个高度延伸。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述壁和所述指由内衬有绝缘层(29)的掺杂多晶硅(27)制成。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述壁(25)和所述指(57)的宽度小于0.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司，未经意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520727662.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
