[实用新型]IGBT高效驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动电路，尤其是一种IGBT高效驱动电路，属于IGBT驱动的技术领域。

背景技术

对于IGBT的驱动，外置的驱动电阻会影响IGBT损耗及开关时间、反向偏置安全工作区（RBSOA）、短路电流安全工作区（SCSOA）、电磁干扰（EMI）、dv/dt、di/dt等参数。

目前，IGBT驱动电路电阻的选取有图1和图2两种方式，其中，图1中IGBT的开通和关断用同一种电阻，带来的不足是针对一些高频应用（如频率>=20KHz）关断时电阻较大会带来关断损耗过大，器件发热量大的问题。针对以上问题，提出图2所示的改进方案，开通和关断时分别采用不同的电阻，这样既能保证开通时的变化率不至过大同时也能保证关断时的低关断损耗。

但图1和图2针对输出功率变化较大的场合（如电动汽车的电机驱动、光伏发电和风力发电），一般驱动电阻都是按照最大功率要求来进行设置（为限制器件变化率，一般电阻较大），但实际工作中出现最大功率的时间只占其实际工况中很小的部分，使得低功率输出场合IGBT因驱动电阻过大，未工作在其最佳工作状态导致器件温升升高和整个系统工作效率的下降。此外，在半导体失效分析理论中，当功率器件（IGBT）的温度上升10℃时，器件的寿命将减少一半。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种IGBT高效驱动电路，其电路结构简单，易于实现，能有效延长IGBT的使用寿命，提高IGBT电路的工作效率，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述IGBT高效驱动电路，包括IGBT器件；还包括连接在所述IGBT器件门极端的电阻群，所述电阻群内包括若干驱动电阻，电阻群内相邻驱动电阻相应的一端均通过可控开关连接，电阻群内驱动电阻的另一端均与IGBT器件的门极端连接，可控开关的控制端均与用于控制所述可控开关导通状态的开关驱动电路连接，所述开关驱动电路与电流处理控制电路连接，电流处理控制电路与用于检测流过IGBT器件导通电流的电流采样电路连接。

所述电流采样电路包括电流传感器或电流互感器，电流采样电路设置与IGBT器件连接的母线或输出线上。

所述电阻群还与驱动电压VDD连接，所述可控开关包括MOS管，所述MOS管的源极端、漏极端分别与相邻驱动电阻连接，MOS管的栅极端与开关驱动电路的输出端连接。

本实用新型的优点：通过电流采样电路对IGBT器件的导通电流进行实时采样，电流处理控制电路根据导通电流确定IGBT器件的输出功率，并根据输出功率向开关驱动电路传输开关使能信号，开关驱动电路根据开关使能信号确定接入IGBT器件的驱动电阻值以及相应需导通的可控开关，从而能使得电阻群内的驱动电阻值与IGBT器件的输出功率相匹配，能保证IGBT器件工作在最佳状态，能降低IGBT器件的工作温度，提升IGBT器件所在电路的工作效率，延长IGBT器件的使用寿命，也能降低IGBT器件的关断损耗。

附图说明

图1为现有IGBT器件的门极端连接驱动电阻的示意图。

图2为现有IGBT器件的门极端同时连接开通电阻以及关断电阻的示意图。

图3为本实用新型的结构框图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图3所示：为了能有效延长IGBT的使用寿命，提高IGBT电路的工作效率，本实用新型包括IGBT器件；还包括连接在所述IGBT器件门极端的电阻群，所述电阻群内包括若干驱动电阻，电阻群内相邻驱动电阻相应的一端均通过可控开关连接，电阻群内驱动电阻的另一端均与IGBT器件的门极端连接，可控开关的控制端均与用于控制所述可控开关导通状态的开关驱动电路连接，所述开关驱动电路与电流处理控制电路连接，电流处理控制电路与用于检测流过IGBT器件导通电流的电流采样电路连接；

电流采样电路将采集IGBT器件的导通电流传输至电流处理控制电路内，电流处理控制电路根据所述接收的导通电流确定IGBT器件的输出功率，并根据确定的输出功率向开关驱动电路输出对应的开关使能信号；开关驱动电路接收所述开关使能信号，并根据所述开关使能信号向对应的可控开关输出开通驱动信号，以通过开通驱动信号打开对应的可控开关，使得电阻群接入IGBT器件门极端的电阻值与所述IGBT器件的输出功率相匹配。