[实用新型]阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201520730466.7 申请日: 2015-09-21
公开(公告)号: CN204945582U 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 曹宇;赵海生;彭志龙 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李静岚;景军平
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,具体而言涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

在平板显示装置中,薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前,TFT-LCD的显示模式主要有TN(TwistedNematic,扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment,垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和AD-SDS(ADvancedSuperDimensionSwitch,高级超维场转换,简称ADS)模式等。

基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极与板状电极间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间的以及电极正上方的取向液晶分子产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。

基于ADS模式的阵列基板通常包括呈阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包含有薄膜晶体管、板状电极以及位于板状电极上方的狭缝电极,狭缝电极包括多个电极条,并且在相邻的电极条之间形成狭缝。

在现有技术中,阵列基板的形成需要多次镀膜与刻蚀,在形成过程中有可能出现构图(pattern)缺陷。当构图缺陷出现在数据线与公共电极之间的绝缘层时,会造成数据线与和该数据线重叠的公共电极之间的短路,从而降低产品的良品率。

实用新型内容

为了克服上述问题,本实用新型提出了一种阵列基板和显示装置,能够避免由于数据线与公共电极之间的绝缘层出现缺陷造成的数据线与和该数据线重叠的公共电极之间的短路,从而大大提升产品的良品率。

根据本实用新型的一个方面,提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括:多条栅线、多条数据线以及呈阵列排布的多个像素单元,其中每个像素单元包括板状电极、狭缝电极和设置在板状电极与狭缝电极之间的绝缘层。所述狭缝电极包括多个电极条,在相邻的电极条之间形成狭缝,并且与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条断开与其他电极条的连接。

根据本实用新型的阵列基板,即便当数据线与狭缝电极(例如,公共电极)之间的绝缘层出现缺陷而造成数据线与和该数据线重叠的狭缝电极的一个电极条之间的短路时,由于和数据线至少部分重叠的电极条与狭缝电极的其他电极条的连接是断开的,因此可以避免数据线与整个狭缝电极之间的短路,从而大大提升产品的良品率。

根据一个实施例,通过在与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条的两端形成狭缝来断开与其他电极条的连接。

根据一个实施例,与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条覆盖所述数据线。

根据一个实施例,所述板状电极与数据线设置在同一层。

根据一个实施例,所述板状电极是像素电极,所述狭缝电极是公共电极。

根据一个实施例,所述与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条断开与公共电极的连接。

根据一个实施例,所述狭缝电极由氧化铟锡制成。

根据一个实施例,所述板状电极由氧化铟锡制成。

根据本实用新型的另一个方面,提供了一种显示装置。所述显示装置包括根据上述任一个实施例的阵列基板。

根据本实用新型的又一个方面,提供了一种制作阵列基板的方法。所述方法包括:在阵列基板上形成板状电极和数据线;在板状电极上形成绝缘层;在绝缘层上形成狭缝电极;其中,所述狭缝电极包括多个电极条,在相邻的电极条之间形成狭缝,并且与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条断开与其他电极条的连接。

根据一个实施例,在与数据线在阵列基板上的投影至少部分重叠的电极条的两端形成狭缝,以断开与其他电极条的连接。

根据本实用新型的阵列基板和显示装置,能够避免由于数据线与公共电极之间的绝缘层出现缺陷造成的数据线与公共电极之间的短路,从而大大提升产品的良品率。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述,将更加清楚地理解示例性实施例的以上和其它方面、特征和优点,其中:

图1是现有技术阵列基板的示意图;

图2是现有技术阵列基板的剖面示意图;

图3是绝缘层出现缺陷的可能性示意图;

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