[实用新型]LOW-E玻璃有效
申请号: | 201520730953.3 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN205097626U | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 贺强 | 申请(专利权)人: | 中建材(内江)玻璃高新技术有限公司 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;B32B9/00;B32B15/04;B32B33/00 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 何凡 |
地址: | 641200 四川省内*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | low 玻璃 | ||
技术领域
本发明涉及镀膜玻璃,具体涉及一种LOW-E玻璃。
背景技术
Low-E玻璃又称低辐射玻璃,是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性,使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比,具有优异的隔热效果和良好的透光性。
目前由于镀膜使用的浮法的玻璃大部分都偏绿,经镀膜后整体颜色偏绿,产品透过色明显发绿、发黄,造成室外反射色跟着发绿、发黄,造成光的透过率低,但随着人们对视觉品质的不断追求,生产更高透过率的触摸屏产品将拥有更大得市场。
实用新型内容
针对现有技术中的上述不足,本发明提供了一种能够消除室外反射色发绿和发黄的LOW-E玻璃。
的真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法问题。
为了达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案为:
提供一种LOW-E玻璃,其包括玻璃基板和在玻璃基板上由内至外依次相邻地磁控溅射有七层镀膜,其中,紧邻玻璃基板的第一层镀膜为陶瓷TiOX基层,第二层为底层阻挡保护层,第三层为铜层,第四层为银层,第五层为顶层阻挡保护层,第六层为底层电介质层和最外面的第七层为顶层电介质层。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
在玻璃基板上沉积的铜层可以消除由于玻璃基板颜色偏绿致使室外反射色发绿和发黄的问题,在室外面颜色基本不变的情况下,透过色普遍更加接近中性;同时铜层的引入可以降低镀银层的厚度,从而降低了生产成本。
在玻璃基板上设置的陶瓷TiOX基层使LOW-E玻璃的折射率至少可以达到2.5,大幅度提高了LOW-E玻璃的折射率;陶瓷TiOX基层上镀的底层阻挡保护层可以对陶瓷TiOX基层起保护作用,同时还可以提高铜层的附着力。
通过该方法生产的LOW-E玻璃的可见光透过率为50%~65﹪,可见光玻璃面反射率为10%~20%,可见光玻璃面色坐标a*为-3.5~-2.0,可见光玻璃面色坐标b*为-2~-7.5,可见光透过色坐标a*为-1.1~-0.1,可见光透过色坐标b*为0.5~1.2。
附图说明
图1为LOW-E玻璃的层状结构示意图。
其中,100、LOW-E玻璃;101、玻璃基板;102、陶瓷TiOX基层;103、底层阻挡保护层;104、铜层;105、银层;106、顶层阻挡保护层;107、底层电介质层;108、顶层电介质层。
具体实施方式
下面对本的具体实施方式进行描述,以便于本技术领域的技术人员理解本,但应该清楚,本不限于具体实施方式的范围,对本技术领域的普通技术人员来讲,只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本的精神和范围内,这些变化是显而易见的,一切利用本构思的发明创造均在保护之列。
参考图1,图1示出了LOW-E玻璃100的层状结构示意图;如图1所示,该LOW-E玻璃100包括在玻璃基板101上由内至外依次相邻地磁控溅射有七层镀膜。
其中,紧邻玻璃基板101的第一层镀膜为陶瓷TiOX基层102,第二层为底层阻挡保护层103,第三层为铜层104,第四层为银层105,第五层为顶层阻挡保护层106,第六层为底层电介质层107和最外面的第七层为顶层电介质层108。
从成本上考虑,本方案中的玻璃基板101选用6MM钠钙硅酸盐浮法玻璃。
铜层104的引入,可以消除由于玻璃基板101颜色偏绿致使室外反射色发绿和发黄的问题。使用本方案的LOW-E玻璃100后,在室外面颜色基本不变的情况下,透过色普遍更加接近中性;同时铜层104的引入可以降低镀银层105的厚度,从而降低了生产成本。
在本实用新型的一个实施例中,上述的底层阻挡保护层103和顶层阻挡保护层106均采用比例为80:20的镍镉组成。底层电介质层107为陶瓷TiOX基层102;顶层阻挡保护层106采用比例为80:10的硅铝组成。
为了保证LOW-E玻璃100对可见光透过率和折射率,陶瓷TiOX基层102的厚度为15nm~25nm,底层阻挡保护层103的厚度为3.5nm~15nm,铜层104的厚度为4nm~7nm、银层105的厚度为4nm~7nm、顶层阻挡保护层106的厚度为3.5nm~15nm、底层电介质层107的厚度为15nm~20nm和顶层电介质层108的厚度为15nm~55nm。
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