[实用新型]一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面有效
申请号: | 201520736394.7 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN205039169U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 李志锋;景友亮;陆卫;李宁;陈效双;陈平平;李天信;王文娟;甄红楼;王少伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 光谱 成像 波段 选择性 增强 量子 红外 平面 | ||
1.一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其结构为:以入射光经过先后为序依次是金属阵列层(1),QWIP焦平面像元(2),下层金属反射层(3),焦平面倒焊互联铟柱层(4),其特征在于:
所述的金属阵列层(1)中,其阵列单元包含金属方块或金属条,在金属方块的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的二维周期排列的金属方块阵列;在金属条的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的一维周期排列的金属条阵列;所述周期p的数值不大于焦平面像元中心距14-30微米,所述线宽s的范围为探测波长的十分之一到十分之十之间,所述厚度h1应不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0048倍。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:所述的QWIP焦平面像元(2)中,像元所含功能层自上到下依次为n型掺杂AlGaAs阻挡层、n型掺杂上电极层、GaAs/AlGaAs量子阱激活层、n型掺杂下电极层,其像元厚度h2的数值应不大于在介质层中的探测波长的三分之一。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:所述下层金属反射层(3)的厚度h3不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0048倍,其宽度L应尽量覆盖像元台面从而尽可能多的与金属方块形成等离激元微腔。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:焦平面芯片上的每个像元或者每行/列像元上的金属阵列层(1)具有不同线宽s,其尺寸对应的共振波段包含高光谱分光的中心波长,不同的线宽s可以顺序排列,也可以随机分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的