[实用新型]一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面有效

专利信息
申请号: 201520736394.7 申请日: 2015-09-22
公开(公告)号: CN205039169U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 李志锋;景友亮;陆卫;李宁;陈效双;陈平平;李天信;王文娟;甄红楼;王少伟 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L27/146;G01J5/20
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 光谱 成像 波段 选择性 增强 量子 红外 平面
【权利要求书】:

1.一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其结构为:以入射光经过先后为序依次是金属阵列层(1),QWIP焦平面像元(2),下层金属反射层(3),焦平面倒焊互联铟柱层(4),其特征在于:

所述的金属阵列层(1)中,其阵列单元包含金属方块或金属条,在金属方块的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的二维周期排列的金属方块阵列;在金属条的情况下,为周期为p、线宽为s、厚度为h1的一维周期排列的金属条阵列;所述周期p的数值不大于焦平面像元中心距14-30微米,所述线宽s的范围为探测波长的十分之一到十分之十之间,所述厚度h1应不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0048倍。

2.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:所述的QWIP焦平面像元(2)中,像元所含功能层自上到下依次为n型掺杂AlGaAs阻挡层、n型掺杂上电极层、GaAs/AlGaAs量子阱激活层、n型掺杂下电极层,其像元厚度h2的数值应不大于在介质层中的探测波长的三分之一。

3.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:所述下层金属反射层(3)的厚度h3不小于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0048倍,其宽度L应尽量覆盖像元台面从而尽可能多的与金属方块形成等离激元微腔。

4.根据权利要求1所述的一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面,其特征在于:焦平面芯片上的每个像元或者每行/列像元上的金属阵列层(1)具有不同线宽s,其尺寸对应的共振波段包含高光谱分光的中心波长,不同的线宽s可以顺序排列,也可以随机分布。

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