[实用新型]一种可拆卸的交流塞曼石墨炉原子化器有效
申请号: | 201520738442.6 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN205091256U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 陈建钢;俞俊良 | 申请(专利权)人: | 上海光谱仪器有限公司 |
主分类号: | G01N21/31 | 分类号: | G01N21/31 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 刘常宝 |
地址: | 201709 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可拆卸 交流 石墨 原子 | ||
技术领域
本实用新型涉及原子化技术,具体涉及一种交流塞曼石墨炉原子化器。
背景技术
石墨炉原子化器是目前无火焰原子化技术中使用最广泛的原子化方法。石墨炉原子化法主要是在惰性气体氛围(如氩气)的石墨管中利用电加热的方式使注入管中的待测试样原子化。由于注入的试样几乎可以完全原子化,而且对那些易形成难解离氧化物的元素,由于没有氧的大量存在,所以能获得较好的原子化效率。
1959年,L'vov发表了关于石墨管原子化器的论文,并对石墨炉技术在定量计算、温度测定等方面进行详细的讨论。L'vov采用的是将石墨坩埚处于可充入氩气的密封状态中,利用电弧使得试样原子化。石墨坩锅炉由于结构复杂、操作繁琐而限制了其被广泛应用。Massmann于1968年设计了一种结构较为简单、易于操作的纵向电阻加热石墨炉原子化器,这种原子化器不久即被广泛的应用。Massmann型石墨炉是在石墨管的两端通过大电流加热快速升温使试样达到原子化状态。
石墨炉原子化技术虽然降低了元素的检出限,但较大的背景干扰不可避免,因此需要合适的背景校正技术与之匹配。
光谱谱线在磁场中分裂的现象称为塞曼效应,是由Zeeman发现的,塞曼效应其实质是一种磁光效应,是原子中能级发生了裂变而引起光谱线的裂变。塞曼效应可分为正常塞曼效应和反常塞曼效应。
1968年,Schrenk等研究了空心阴极灯发射的磁效应,尝试通过磁场,增加发射谱线轮廓与吸收谱线轮廓的重叠区域。1969年,PRUGGER和TORGE申请专利DE1964469,应用塞曼效应进行背景校正,随后两年中,塞曼效应即被应用于原子吸收的背景校正。1971年,Hadeishi和McLaughlin应用塞曼效应原子吸收测定了基质材料中的痕量Hg;Hadeishi还利用198Hg同位素位移塞曼效应测定了环境样品中的痕量Hg含量。早期的许多关于塞曼背景校正的研究都是使用恒定磁场,Koizumi和Yasuda对这种结构做了详细的研究。以上这些塞曼背景校正的研究都是将磁场直接置于原子吸收的辐射光源上,相应的商品仪器有德国的SM-1型塞曼原子吸收光谱仪。
1976年,Koizumi和Yasuda对磁场置于原子化器部分,将磁场方向与光源辐射光束方向垂直的塞曼背景校正方式进行了研究,并观察了垂直与平行磁场方向的偏振吸收情况。随后,Koizumi等又对这种结构做了详细的研究报道;Dawson等及Fernandez等对原子化器塞曼效应的性能,包括灵敏度、线性范围和背景校正结果等做了研究;1978年,DeLoos-Vollebregt和DeGalan将磁场调制模式引入塞曼背景校正中,其在石墨炉处加上横向交变磁场,结果证明这种模式可同时校正非吸收线和背景衰减。Brodie和Liddell将这种校正方法应用于6cm的火焰燃烧器上,同时对该方法的性能进行了研究。以上讨论的是将磁场置于原子化器处;且磁场方向都是与光束传播方向垂直(横向)的塞曼校正方法。相应恒定磁场方式的商品化仪器有日本Hitachi公司的Z8000和Z5000等系列仪器;而交变磁场方式被Perkin-Elmer、瓦里安和热电等各大公司采用,并且发展了纵向磁场置于原子化器的塞曼背景校正商品仪器(例如Perkin-Elmer的AA800和GBC)。
传统塞曼石墨炉原子化器结构复杂,难于精确校装其在光路中的精确位置,造成光能量损失,使原子吸收光谱仪的噪音水平增加,检出限降低。当用户更换石墨管、石墨锥等维护操作之后,传统塞曼石墨炉原子化器将进一步的偏离设计位置,从而造成原子吸收光谱仪的性能的进一步降低。
实用新型内容
针对传统塞曼石墨炉原子化器结构复杂、装配调试困难,造成塞曼石墨炉原子化器性能降低的问题,本实用新型的目的在于提供一种易于装配,方便调试的石墨炉原子化器,当用户进行更换石墨管石墨锥等维护操作之后,完全无须调整石墨炉原子化器;从而在不影响仪器性能,数据质量的前提下降低了维护的时间,提高了工作效率。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种可拆卸的交流塞曼石墨炉原子化器,其包括:
一可调节底座,所述可调节底座包括至少两个方形支架和可调节底板组件;所述方形支架安置在原子吸收光谱仪基座的垂直安装端,所述可调节底板组件安置在方形支架的垂直安装端;
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