[实用新型]基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元

权利要求书

1.基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元，其特征在于：包括电流传感器、功率放大器以及电路采集模块，所述电流传感器包括一环形壳体、一呈C形布置的磁芯以及两霍尔电路模块，所述环形壳体内设置有一容置空间，所述磁芯上分别绕设有一第一线圈绕组以及一第二线圈绕组，并且该磁芯安装于所述容置空间内，两所述霍尔电路模块装设于所述容置空间内并且其两端与所述磁芯的两端邻接，两所述霍尔电路模块之间连接有一电桥，所述第一线圈绕组的输入端与避雷器漏电流电连接，所述第二线圈绕组的输入端与所述功率放大器的一输出端电连接，所述功率放大器的另一输出端与所述电路采集模块电连接，所述第二线圈绕组所产生的磁通密度方向与所述第一线圈绕组的磁通密度方向相反。

2.如权利要求1所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元，其特征在于：各所述霍尔电路模块均包括一霍尔元件以及与该霍尔元件相串联的一调整电阻，所述霍尔电路模块的控制电流端并联接入于一直流恒流电源I+和I-，并且两所述霍尔电路模块的输出端也并联为VH+和VH-的数据接点，所述功率放大器包括一与所述数据接点输出端电连接的运算放大器、一第一三极管、一第二三极管以及一输入电源，所述第一三极管的集电极电连接于所述输入电源的正接口，所述第二三极管的集电极连接于所述输入电源的负接口，所述功率放大器的输出端分成两路，一路连接于所述第一三极管的基极，另一路连接于所述第二三极管的基极，所述第一三极管的放大极分成两路，一路连接于所述第二线圈绕组的输入端，另一路连接于所述第二三极管的放大极，所述电路采集模块包括一端连接于所述第二线圈绕组输出端的测量电阻R1以及用于测量该测量电阻内电流数值的电流表，所述测量电阻R1的另一端接地。

3.如权利要求2所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元，其特征在于：所述电桥包括两并联设置的电阻对，该两电阻对的一侧的接点连接于一霍尔电路模块中霍尔元件与调整电阻中间的接线处，该两电阻对的另一侧的接点连接于另一霍尔电路模块中霍尔元件与调整电阻中间的接线处，两并联设置的电阻对中每个电阻对各包括两个串联设置的电阻，并且其中一电阻对中两串联设置的电阻接线的中间与另一电阻对中两串联设置的电阻接线的中间电连接。

4.如权利要求3所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元，其特征在于：所述环形壳体包括一屏蔽壳体以及设置于该屏蔽壳体外侧的绝缘壳体，所述磁芯包括两个对称设置的弧形芯块以及一固定管，两弧形芯块各以一端相互抵接，并且在该抵接位置的两侧套上所述固定管。

5.如权利要求4所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述弧形芯块为纳米非晶材料制成的弧形芯块，所述固定管为纳米非晶材料固定管。

6.如权利要求4所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述弧形芯块为非晶软磁材料制成的弧形芯块，所述固定管为非晶软磁固定管。

7.如权利要求5或6所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述磁芯的开口处形成有一气隙，两所述霍尔电路模块平行间隔布置于该气隙内，所述固定管所占据的体积为所述容置空间体积的四分之一，位于所述固定管一侧的弧形芯块中未套上固定管的部分所占据的体积为所述容置空间体积的三分之一，位于所述固定管另一侧的弧形芯块中未套上固定管的部分所占据的体积为所述容置空间体积的三分之一，所述第二线圈绕组包括上第二线圈绕部以及下第二线圈绕部，所述上第二线圈绕部绕设于位于所述固定管一侧的弧形芯块中未套上固定管的部分，所述下第二线圈绕部绕设于位于所述固定管另一侧的弧形芯块中未套上固定管的部分，所述上第二线圈绕部和下第二线圈绕部相互电连接，所述第一线圈绕组绕设于所述固定管的外侧。

8.如权利要求7所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述第一线圈绕组的输入端加装有惰性气体二极管以及TVS二极管，该TVS二极管反向串联接地。

9.如权利要求8所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述磁芯上加载有交流信号。

10.如权利要求9所述基于双霍尔元件对特高压直流避雷器泄露电流的采集单元,其特征在于：所述环形壳体套设在避雷器的地线上并且其包括可相互拆卸的左半壳体以及右半壳体。