[实用新型]双向可控硅过零触发电路有效
| 申请号： | 201520744505.9 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN204967783U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 沈富德 | 申请（专利权）人： | 江苏矽莱克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72;H03K17/78 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213024 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 可控硅 触发 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种双向可控硅过零触发电路，其特征在于：包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器(1)、双向可控硅BCR(2)和RC阻容吸收电路(3)，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器(1)的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器(1)的第一输出端连接双向可控硅BCR(2)，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR(2)的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路(3)，双向可控硅BCR(2)的门极连接有门极电阻R4。
2.根据权利要求1所述的双向可控硅过零触发电路，其特征在于：所述RC阻容吸收电路(3)由电容C1和电阻R5串联组成。
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