[实用新型]微集成传感器和电子设备

权利要求书

1.一种微集成传感器，其特征在于，包括：

堆叠，具有第一表面和第二表面，所述堆叠包括：

传感器层，在所述第一表面处，所述传感器层包括围绕中心部分的外周部分，所述中心部分包括容纳敏感元件的平台；

盖帽层，在所述第二表面处，所述盖帽层包括外周部分和中心部分，所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔；以及

绝缘层，位于所述盖帽层和所述传感器层的外周部分之间；以及

气隙，位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间；以及

多个穿通沟槽，在所述传感器层的所述中心部分中，所述多个穿通沟槽一起围绕容纳所述敏感元件的所述平台，

其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所述敏感元件的流体路径。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括在所述传感器层中的弹性连接区域，在所述平台和所述传感器层的外周区域之间，所述多个穿通沟槽由所述弹性连接区域限定。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器层具有掩埋的空腔以及布置在所述掩埋的空腔和所述第一表面之间的隔膜，所述隔膜容纳所述敏感元件。

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，包括保护区域，固定至所述盖帽层的所述外周部分并且面向所述隔膜。

5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述保护区域是ASIC或辅助盖帽。

6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括树脂的封装区域，围绕所述绝缘层、所述盖帽层和所述传感器层的所述外周部分。

7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器是压阻式压力传感器。

8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，多个穿通沟槽完全围绕所述平台。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

微集成传感器，包括：

半导体层，包括外周部分和中心部分，所述中心部分包括配置用于响应于压力改变而移动的隔膜，所述中心部分包括基本上共同围绕所述隔膜并且将所述隔膜从所述外周部分机械地去耦的多个穿通沟槽；

盖帽层，耦合至所述半导体层并且包括外周部分和中心部分，所述盖帽层包括在所述盖帽层的所述中心部分中的多个穿通开口；以及

绝缘层，在所述盖帽层和所述半导体层的外周部分之间，所述绝缘层形成在所述盖帽层和所述隔膜的中心部分之间的气隙；

流体路径，包括在所述中心部分中的多个穿通开口、气隙以及在所述半导体层的所述中心部分中的所述多个穿通沟槽，其中所述流体路径使得所述隔膜与所述微集成传感器外部的环境流体连通；以及

导电凸块，耦合至所述微集成传感器；

ASIC，由所述导电凸块耦合至所述微集成传感器；

封装材料，围绕所述ASIC和所述微集成传感器的侧表面以形成电子传感器封装；以及

微处理器，耦合至所述电子传感器封装。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述多个穿通沟槽在所述半导体层中形成弹簧。

11.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述隔膜面向所述ASIC，以及所述隔膜由所述导电凸块与所述ASIC间隔开以形成间隙。

12.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述隔膜由形成在所述半导体层中的掩埋的空腔而悬置。

13.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，进一步包括，耦合至所述微处理器的存储器，以及耦合至所述微处理器的输入/输出接口。

14.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述半导体层是第一半导体层，其中所述盖帽层是第二半导体层。

15.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述多个穿通沟槽共同地完全围绕所述隔膜。