[实用新型]用于驱动晶体管的过电压保护电路有效
申请号: | 201520747630.5 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN205004739U | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | R·马利克;L·阿巴特里;G·卡塔里萨诺;A·贾因 | 申请(专利权)人: | 意法半导体国际有限公司;意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;庞淑敏 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 驱动 晶体管 过电压 保护 电路 | ||
1.一种用于驱动晶体管的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管具有被配置成接收驱动信号的控制端子并具有第一导电端子和第二导电端子,其中所述第一导电端子被配置成用于连接到负载电路;
感测电路,所述感测电路被配置成感测跨过所述第一导电端子和所述第二导电端子的电压;
比较器电路,所述比较器电路被配置成将感测的所述电压与电压阈值相比较并生成指示过电压状况的信号;以及
驱动电路,所述驱动电路被配置成响应于脉宽调制(PWM)信号而生成所述驱动信号,所述驱动电路包括强制导通电路,所述强制导通电路响应于指示所述过电压状况的所述信号而被起动,以迫使所述驱动晶体管无论所述PWM信号如何都导通。
2.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述驱动晶体管是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
3.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路还包括所述负载电路。
4.根据权利要求3所述的过电压保护电路,其特征在于,所述负载电路是谐振回路电路。
5.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述驱动晶体管是低侧驱动晶体管。
6.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路还包括被配置成生成所述PWM信号的PWM发生器电路。
7.根据权利要求6所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM发生器电路包括软启动电路,并且其中所述软启动电路响应于指示所述过电压状况的所述信号而被起动。
8.根据权利要求6所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM发生器电路包括过度过电压状况检测电路,所述过度过电压状况检测电路被配置成如果接收到指示所述过电压状况的信号的数目超过关断阈值,则禁用所述PWM信号的生成。
9.根据权利要求6所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM发生器电路包括过度过电压状况检测电路,所述过度过电压状况检测电路被配置成如果接收到指示所述过电压状况的信号的数目超过减小阈值,则减小所述PWM信号的脉冲宽度。
10.根据权利要求9所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过度过电压状况检测电路进一步被配置成在超过所述减小阈值的情况下,随着每次接收到指示所述过电压状况的信号而逐渐地减小所述PWM信号的脉冲宽度。
11.根据权利要求10所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过度过电压状况检测电路进一步被配置成如果接收到的指示所述过电压状况的信号的数目超过关断阈值,则禁用所述PWM信号的生成。
12.根据权利要求6所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM发生器电路包括被配置成响应于指示所述过电压状况的所述信号而禁用所述PWM信号的生成的禁用电路。
13.一种用于驱动晶体管的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管具有被配置成接收驱动信号的控制端子并具有第一导电端子和第二导电端子,其中所述第一导电端子被配置成用于连接到负载电路;
感测电路,所述感测电路被配置成感测跨过所述第一导电端子和所述第二导电端子的电压;
比较器电路,所述比较器电路被配置成将感测的所述电压与电压阈值相比较并生成指示过电压状况的信号;
脉宽调制(PWM)信号发生器,所述PWM信号发生器被配置成生成PWM信号;以及
驱动电路,所述驱动电路被配置成如果指示过电压状况的所述信号并未生效,则响应于所述PWM信号而生成所述驱动信号,并且否则如果指示所述过电压状况的所述信号生效,则迫使所述驱动晶体管导通。
14.根据权利要求13所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM信号发生器包括在指示所述过电压状况的所述信号生效时被起动的软启动电路。
15.根据权利要求13所述的过电压保护电路,其特征在于,所述PWM信号发生器包括在指示所述过电压状况的所述信号生效时被起动的禁用电路。
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