[实用新型]一种芯片级LED光源模组

权利要求书

1.一种芯片级LED光源模组，其特征在于，包括：

一PCB电路板、至少一个芯片级LED光源、用以围住所述芯片级LED光源的侧壁的围堰和一次光学元件；

所述芯片级LED光源设置在所述PCB电路板上，与所述PCB电路板电性连接；所述围堰设置在所述PCB电路板上，与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述一次光学元件设置在所述围堰上。

2.根据权利要求1所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述围堰由反光材料制成。

3.根据权利要求2所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述围堰由反射率大于95％的有机硅反光材料制成。

4.根据权利要求3所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述围堰采用模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述PCB电路板上。

5.根据权利要求1所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述芯片级LED光源包括有倒装型LED芯片、设置在所述倒装型LED芯片上的光转换层；

其中，所述倒装型LED芯片包括外延衬底层、生长于所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长于N型氮化镓层部分上表面的发光层、及生长于N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层，还包括生长于发光层上表面的P型氮化镓层、生长于P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面设置有绝缘层，在对应于P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在对应于N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在绝缘层上表面设有互相分离的P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。

6.根据权利要求5所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方；所述围堰呈柱状或类反光杯状。

7.根据权利要求5所述的芯片级LED光源模组，其特征在于，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方和倒装LED芯片的侧壁；所述围堰包括有侧围部、与所述侧围部连接的延伸部；所述延伸部设置在所述芯片级LED光源与所述PCB电路板的底部连接处；所述侧围部与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述侧围部呈柱状或类反光杯状。

8.根据权利要求1所述的芯片级LED光源模组，其特征在于：所述一次光学元件由透明胶材制成，所述透明胶材为有机硅、环氧、丙烯酸、聚氨酯中的一种；所述一次光学元件通过点胶、模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述围堰上。

9.根据权利要求1所述的芯片级LED光源模组，其特征在于：所述一次光学元件的形状为半球形、方形、椭圆形、菲涅尔形、蜂窝形、花生形、圆锥形、正六边形、柿饼形中的一种。

10.根据权利要求1所述的芯片级LED光源模组，其特征在于：所述芯片级LED光源与所述PCB电路板焊接的焊料的材质为Au-Sn、Sn-Ag-Cu、Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Bi、Sn-Ag-Bi-In、Sn-Zn、Sn-Zn-Bi中的一种。