[实用新型]针扎光电二极管以及电子器件有效
| 申请号： | 201520748643.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN205355067U | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | L·法韦内克;D·迪塔特;F·鲁瓦 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电二极管 以及 电子器件 | ||
1.一种针扎光电二极管，其特征在于，包括：
第一导电类型的转换区域，形成在第二导电类型的衬底上，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；
所述第二导电类型的扩散层，形成在所述转换区域上；和
重掺杂绝缘体层，所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层，所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
2.根据权利要求1所述的针扎光电二极管，其特征在于，所述重掺杂绝缘体层是处于从5x1021at./cm3至2x1022at./cm3硼浓度的掺杂硼的氧化硅。
3.根据权利要求1所述的针扎光电二极管，其特征在于，进一步包括被定位在所述扩散层与所述转换区域之间的所述第二导电类型的浅半导体区域。
4.根据权利要求3所述的针扎光电二极管，其特征在于，所述浅半导体区域具有在1018at./cm3的数量级上的最大掺杂并且所述扩散层具有在1020at./cm3的数量级上的最大掺杂。
5.一种电子器件，其特征在于，包括：
转移晶体管；和
针扎光电二极管，所述针扎光电二极管包括：
第一导电类型的转换区域，形成在第二导电类型的衬底上，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；
所述第二导电类型的扩散层，形成在所述转换区域上；和
重掺杂绝缘体层，所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层，所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，进一步包括被定位在所述扩散层与所述转换区域之间的所述第二导电类型的浅半导体区域。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述浅半导体区域具有在1018at./cm3的数量级上的最大掺杂并且所述扩散层具有在1020at./cm3的数量级上的最大掺杂。
8.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述转移晶体管包括绝缘栅极、漏极和源极，所述源极是所述转换区域的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司，未经意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
