[实用新型]具有简化的互连布线的背照射集成成像设备

权利要求书

1.一种背照射集成成像设备，其特征在于，包括：

半导体衬底；

像素区，所述像素区由形成在位于所述半导体衬底的沟槽中的电容性深沟槽隔离界定；

外围区，所述外围区位于所述像素区外侧；

接触焊盘，所述接触焊盘包括偏置接触焊盘；以及

连续导电层，所述连续导电层被配置为在有用的所述像素区中形成在每个电容性深沟槽隔离中的电极并且被配置为在所述外围区中形成重新分布层，所述重新分布层电耦合到在每个电容性深沟槽隔离中的电极并电耦合到所述偏置接触焊盘以用于施加用于偏置在每个电容性深沟槽隔离中的所述电极的电压；

其中，在每个电容性深沟槽隔离中的所述电极位于沟槽电介质与用于填充所述沟槽的至少一种材料之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括至少一个导电过孔，所述至少一个导电过孔与所述重新分布层相接触并电耦合到所述偏置接触焊盘。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，还包括：

位于所述外围区上方的导电且在光学上不透明的终端层，所述终端层与所述至少一个导电过孔相接触；以及

导电连接，所述导电连接将所述终端层和所述偏置接触焊盘连接。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述连续导电层还形成在所述沟槽的边缘处的连续网格，并且其中所述连续导电层包括侧向延伸，所述侧向延伸连接到所述连续网格以便形成所述重新分布层并从位于所述像素区的外围处的所述沟槽中的至少一个沟槽延伸到所述外围区。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述侧向延伸形成在所述连续网格周围的连续外围环。

6.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，还包括至少一个导电过孔，所述至少一个导电过孔与所述重新分布层相接触并且电耦合到所述偏置接触焊盘，并且其中所述至少一个导电过孔与所述侧向延伸相接触。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述连续导电层包括从包括钛、氮化钛、钨和铝的组中选出的至少一种材料。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

抗反射层，所述抗反射层包含氧化硅和氮化硅、位于在所述沟槽外侧的所述衬底上方；以及

至少一个电介质底层，所述至少一个电介质底层延伸到所述连续导电层下方的所述沟槽中并且延伸在所述抗反射层与所述连续导电层之间的所述沟槽外侧，所述至少一个电介质底层在每个沟槽中形成所述沟槽电介质。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，用于填充所述沟槽的所述至少一种材料在所述沟槽中并且在所述沟槽外侧位于所述连续导电层上方。

10.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

电介质，所述电介质包括位于所述沟槽的壁上并且在所述沟槽外侧位于所述衬底上方的包含负固定电荷的材料；以及

抗反射层，所述抗反射层至少部分位于所述电介质上方，所述电介质在每个沟槽中形成所述沟槽电介质。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述电介质是具有大于或等于15的电介质常数的电介质。

12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，用于填充所述沟槽的所述至少一种材料在所述沟槽中并且在所述沟槽外侧位于所述连续导电层上方，所述抗反射层还位于用于填充所述沟槽的所述至少一种材料上方。

13.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述电介质包括覆盖有包含负固定电荷的所述材料的氧化层。

14.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，包含负电荷的所述材料是从包括HfO₂、ZrO₂和Al₂O₃或HfO₂、ZrO₂和Al₂O₃中的两种或三种的合金的组中选出的。

15.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述抗反射层包括氧化钽。