[实用新型]图像像素阵列及其系统有效

专利信息
申请号: 201520752310.9 申请日: 2015-09-25
公开(公告)号: CN204948212U 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: J·贝克;C·麦考德 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/361 分类号: H04N5/361;H04N5/335
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 图像 像素 阵列 及其 系统
【权利要求书】:

1.一种成行和列排列并且具有边界的图像像素阵列,其特征在于,所述图像像素阵列包括:

图像传感器像素,在所述图像像素阵列的所述边界内形成,其中所述图像传感器像素配置为响应于图像光而生成图像数据;以及

温度传感器像素,沿着所述图像像素阵列的所述边界在所述图像像素阵列的多个行和多个列中形成,其中所述温度传感器像素配置为生成温度估计值,以用于减轻由所述图像传感器像素生成的所述图像数据中的暗电流影响。

2.根据权利要求1所述的图像像素阵列,其特征在于,在半导体衬底上形成所述图像像素阵列以及所述温度传感器像素还包括:

在所述半导体衬底上形成的光阻挡构件,配置为阻止所述温度传感器像素接收所述图像光。

3.根据权利要求2所述的图像像素阵列,其特征在于,所述光阻挡构件包括铝。

4.根据权利要求1所述的图像像素阵列,其特征在于,所述图像传感器像素包括至少第一光电二极管,配置为产生第一暗电流量,其中所述温度传感器像素包括至少第二光电二极管,产生第二暗电流量,以及其中所述第二暗电流量大于所述第一暗电流量。

5.根据权利要求4所述的图像像素阵列,其特征在于,所述至少第一光电二极管包括掩埋式n型掺杂层,配置为产生所述第一暗电流量。

6.根据权利要求4所述的图像像素阵列,其特征在于,所述第二光电二极管包括重掺杂n+型层,所述重掺杂n+型层产生所述第二暗电流量,使得相比所述图像传感器像素,所述温度传感器像素对跨越所述阵列的温度波动更敏感。

7.一种系统,其特征在于包括:

中央处理单元;

存储器;

输入-输出电路;

成像设备,其中所述成像设备包括:

图像传感器像素和温度传感器像素的像素阵列;

将图像聚焦在所述像素阵列上的透镜,其中所述图像传感器像素配置为响应于所述图像而生成图像信号,以及其中所述温度传感器像素配置为响应于所述像素阵列的至少一个温度生成热估计信号;

模拟-数字转换器电路,配置为基于所述图像信号生成数字图像像素值并且配置为基于所述热估计信号生成数字热估计值;

热梯度处理电路,配置为基于所述数字热估计值生成暗电流补偿值;以及

暗电流减法电路,配置为从所述数字图像像素值减去所述暗电流补偿值。

8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述温度传感器像素包括配置为生成第一暗电流量的第一光电二极管,以及其中所述图像传感器像素包括配置为生成第二暗电流量的第二光电二极管,所述第二暗电流量小于所述第一暗电流量。

9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述暗电流补偿值配置为补偿由所述图像传感器像素产生的所述第二暗电流量。

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