[实用新型]一种高能量密度的皮秒激光器末端光路系统有效
申请号: | 201520752554.7 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN205038426U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 任秋实;刘曦;于泽宽;杨昆;李文昭;江晓芸;王国鹤;周坤 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高能量 密度 激光器 末端 系统 | ||
1.一种高能量密度的皮秒激光器末端光路系统,其特征在于,所述皮秒激光器末端光路系统包括:控制系统、泵浦源、长聚焦透镜组和低速扫描振镜组;其中,所述泵浦源和低速扫描振镜组分别连接至控制系统;所述泵浦源发射皮秒脉冲激光束;所述激光束由长聚焦透镜组聚焦;所述激光束经过低速扫描振镜组进行低速二维扫描,入射至扫描位置;所述扫描位置于处长聚焦透镜组的焦点。
2.如权利要求1所述的皮秒激光器末端光路系统,其特征在于,还包括反射镜,所述反射镜设置在长聚焦透镜组与低速扫描振镜组之间。
3.如权利要求1所述的皮秒激光器末端光路系统,其特征在于,所述低速扫描振镜组包括两路扫描振镜,第一扫描振镜和第二扫描振镜,两路扫描振镜的旋转轴互相垂直。
4.如权利要求1所述的皮秒激光器末端光路系统,所述泵浦源采用780nm或810nm的半导体激光器。
5.如权利要求1所述的皮秒激光器末端光路系统,还包括4f光学系统,所述4f光学系统设置在第一扫描振镜与第二扫描振镜之间。
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