[实用新型]一种具有多重栅极结构的晶体管

权利要求书

1.一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极及漏极，其特征在于：于势垒层上所述源极和漏极之间设置有若干子栅极，该些子栅极由所述源极向漏极方向分立间隔排布以形成多重栅极结构，且栅极接触层与势垒层间形成接触面。

2.根据权利要求1所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：该些子栅极于所述源极和漏极之间等距离间隔的平行排布。

3.根据权利要求1或2所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：由所述源极向所述漏极方向该些子栅极的长度依次递增。

4.根据权利要求3所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：该些子栅极的长度由0.1～5μm递增至0.5～10μm，且各子栅极依次比前一子栅极的长度增加10～100％。

5.根据权利要求1所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：还包括一设置于所述势垒层上方并至少覆盖所述源极、漏极和各子栅极部分表面的钝化层，所述钝化层是SiO₂、SiN、Al₂O₃、Hf₂O或绝缘类钻碳。

6.根据权利要求1所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：所述源极、漏极和各子栅极顶端分别设置有加厚电极，所述加厚电极选自Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Au或Cr/Au的多金属层。

7.根据权利要求6所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：所述各子栅极于所述栅极接触层和相应的加厚电极之间还设置有接触电极层，所述接触电极层是Ti、Ni、Cu、Al、Pt、W、Mo、Cr或Au。

8.根据权利要求1所述的具有多重栅极结构的晶体管，其特征在于：所述势垒层于所述栅极区域下凹形成若干与所述各子栅极一一对应的沟槽，所述各子栅极分别设置于所述沟槽上。