[实用新型]N型双面电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种N型双面电池。

背景技术

太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，其中，N型太阳能电池具有寿命长、无光衰和转换效率高等优点，且N型太阳能电池的工艺流程相对简单，利于大规模产业化。此外，N型双面电池的两面均可接受太阳光，发电能力较强。

一般地，为了提高N型太阳能电池的使用效率，要N型双面电池的电池转换率越高越好。

实用新型内容

基于此，有必要针对如何提高N型双面电池的转换率的问题，提供一种N型双面电池。

一种N型双面电池，包括：

N型硅片，所述N型硅片具有第一绒面和第二绒面，所述N型硅片的第一绒面侧包括p+掺杂区域和p++重掺杂区域，所述p+掺杂区域形成于所述第一绒面上，所述p++重掺杂区域与所述p+掺杂区域接触相邻，且所述p++重掺杂区域的顶部表面与所述p+掺杂区域的顶部表面齐平，所述p++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内，

所述N型硅片的第二绒面侧包括n+掺杂区域和n++重掺杂区域，所述n+掺杂区域形成于所述第二绒面上，所述n++重掺杂区域与所述n+掺杂区域接触相邻，且所述n++重掺杂区域的顶部表面与所述n+掺杂区域的顶部表面齐平，所述n++重掺杂区域延伸至所述N型硅片内；

第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层，所述第一钝化减反射膜层覆盖所述p+掺杂区域和所述p++重掺杂区域，所述第二钝化减反射膜层覆盖所述n+掺杂区域和所述n++重掺杂区域；以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上。

上述N型双面电池，在第一绒面上形成p+掺杂区域，在第二绒面上形成n+掺杂区域，且该N型双面电池还包括p++重掺杂区域和n++重掺杂区域，p++重掺杂区域延伸至N型硅片内，且和p+掺杂区域接触相邻，p++重掺杂区域的顶部表面与p+掺杂区域的顶部表面齐平；n++重掺杂区域延伸至N型硅片内，且和n+掺杂区域接触相邻，n++重掺杂区域的顶部表面与n+掺杂区域的顶部表面齐平，再依次制备钝化减反射膜层和电极，从而得到N型双面电池，该N型双面电池包括p++重掺杂区域和n++重掺杂区域，从而有效降低接触电阻，提高填充银子，进而提高太阳能电池的转换效率，太阳能电池的转换效率能提高0.5％以上。

在其中一个实施例中，所述第一绒面和所述第二绒面的形状均为金字塔状。

在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述p+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。

在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域的方块电阻小于等于40Ω/□，所述p+掺杂区域的方块电阻小于等于60Ω/□。

在其中一个实施例中，所述n++重掺杂区域的深度为0.5-1.5微米，所述n+掺杂区域的深度为0.3-0.5微米。

在其中一个实施例中，所述n++重掺杂区域的方块电阻小于等于40Ω/□，所述n+掺杂区域的方块电阻小于等于60Ω/□。

在其中一个实施例中，所述p++重掺杂区域和所述n++重掺杂区域呈对称分布。

在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层或氧化铝膜层。

在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层均为二氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层以及氧化铝膜层中任何两种或两种以上膜层层叠的多层膜。

在其中一个实施例中，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的厚度均为50-80nm，所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层的折射率均为2.0-2.1。

附图说明

图1为一实施例的N型双面电池的制作方法的流程示意图；

图2为一实施例的N型硅片制绒处理后的结构示意图；

图3为图2所示N型硅片激光处理后的结构示意图；

图4为图3所示N型硅片进行化学清洗后的结构示意图；

图5为图4所示N型硅片上形成钝化减反射膜层后的结构示意图；

图6为图5所示N型硅片进行电极制备后得到的N型双面电池的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一实施例的N型双面电池的制作方法，包括：

S1：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理。