[实用新型]一种半导体致冷器驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体致冷器驱动电路。

背景技术

在半导体致冷器控温电路中，经常使用继电器控制半导体致冷器的温度，继电器的使用寿命只有10万次，在连续使用的场合，继电器很快就会失效，而且继电器响应速度慢，不能在半导体致冷器精密控温电路中使用。功率MOS管具有响应速度快、使用寿命长、可靠性高的特点，使用功率MOS管驱动半导体致冷器，可以实现半导体致冷器致冷温度的精密控制。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种半导体致冷器驱动电路，用于解决半导体致冷器致冷温度精密控制的驱动问题。

本实用新型所采用的技术如下：一种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动MOS管的光电池电路，驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷电路。

光电池的控制驱动电路包括第一电阻，第二电阻，第三电阻和晶体三极管，第一电阻的一端与控制电压连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端、晶体三极管的基极连接，第二电阻的另一端与第三电阻的一端、晶体三极管发射极连接，晶体管的集电极与电源V+连接。

驱动MOS管的光电池电路包括光电池，二极管和第四电阻，光电池的第一脚与第三电阻的另一端、二极管的阴极连接，光电池的第二脚与二极管的阳极连接并接地，光电池的第五脚与MOS管栅极、第四电阻的一端连接，光电池的第八脚与MOS管源极、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。

驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管，MOS管栅极与光电池的第五脚、第四电阻的一端连接，MOS管漏极与电源VL连接，MOS管源极与光电池的第八脚、第四电阻的另一端、半导体致冷器的一端连接。

半导体致冷电路包括半导体致冷器和第五电阻，半导体致冷器的一端与MOS管源极、光电池的第八脚、第四电阻的另一端连接，半导体致冷器的另一端与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端接地。

本实用新型使用光电池驱动功率MOS管可以实现控制电路与执行电路的隔离，提高了控温精度，光电池可以输出较高的电压驱动功率MOS管，简化了MOS管驱动电路，同时温控电路可以长期连续工作，提高了系统的可靠性，降低了维修成本。

附图说明

图1是本实用新型半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理框图。

图2是本实用新型半导体致冷器驱动电路的实施例1电原理图。

具体实施方式

下面根据附图举例对本实用新型作进一步的说明：

实施例1

一种半导体致冷器驱动电路，包括光电池的控制驱动电路，驱动MOS管的光电池电路，驱动半导体致冷器的MOS管电路和半导体致冷器。

光电池的控制驱动电路包括第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3和晶体三极管Q1，第一电阻R1的一端与控制电压连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端、晶体三极管Q1的基极连接，第二电阻R2的另一端与第三电阻R3的一端、晶体三极管Q1发射极连接，晶体管Q1的集电极与电源V+连接。

驱动MOS管的光电池电路包括光电池U1，二极管D1和第四电阻R4，光电池U1的第一脚与第三电阻R3的另一端、二极管D1的阴极连接，光电池U1的第二脚与二极管D1的阳极连接并接地，光电池U1的第五脚与MOS管Q2栅极、第四电阻R4的一端连接，光电池U1的第八脚与MOS管Q2源极、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。

驱动半导体致冷器的MOS管电路包括功率MOS管Q2，MOS管Q2栅极与光电池U1的第五脚、第四电阻R4的一端连接，MOS管Q2漏极与电源VL连接，MOS管Q2源极与光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端、半导体致冷器ZLQ的一端连接。

半导体致冷电路包括半导体致冷器ZLQ和第五电阻R5，半导体致冷器ZLQ的一端与MOS管Q2源极、光电池U1的第八脚、第四电阻R4的另一端连接，半导体致冷器ZLQ的另一端与第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端接地；

第一电阻R1的阻值大小为1千欧，第二电阻R2的阻值大小为430千欧，第三电阻R3的阻值大小为430欧，第四电阻R4的阻值大小为10兆欧，第五电阻R5的阻值大小为0.1欧，二极管D1为1N4148二极管，晶体三极管Q1采用S9013，功率MOS管Q2采用IRFP044，光电池U1采用LH1262，输出电压14V的光电池，半导体致冷器ZLQ为三级致冷，最大致冷电流为1A，控制电路供电电源V+为12V，制冷电源VL为7V。

本实用新型的半导体致冷器驱动电路，采用分立电子元器件搭建，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，三极管Q1组成光电池驱动电路，控制信号VK为高电平时，该驱动电路为光电池提供10毫安的驱动电流，激活光电池，光电池输出电压为14V，功率MOS管导通，半导体致冷器致冷，控制信号为低电平时，驱动光电池的电流为零，光电池输出电压为零，功率MOS管截止，半导体致冷器停止致冷，实现了半导体致冷器的温度控制，第四电阻R4是功率MOS管Q2的栅极电阻，第五电阻R5是采样电阻，系统可以根据R5两端电压换算成的致冷电流值，供给致冷电流限流保护电路使用。