[实用新型]基于双口Flash控制器的Nand Flash坏列管理设备有效

专利信息
申请号: 201520761263.4 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN204945995U 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 李永军;杨松;杨磊;邱礼胜;曾伟军;李慈航;唐棋 申请(专利权)人: 成都嘉泰华力科技有限责任公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F7/58
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610041 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 flash 控制器 nand 管理 设备
【权利要求书】:

1.基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:包括双口Flash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和NandFlash缓冲器;

所述双口Flash控制器设置在FPGA芯片内,双口Flash控制器连接有多个双口存储器,双口Flash控制器包括多个通道,多个通道分别与多个双口存储器一一对应连接;

所述伪随机数发生器的输出分别与数据比较器和双口Flash控制器的输入连接,双口Flash控制器的输出与数据比较器的输入连接,数据比较器的输出与坏列控制器的输入连接,双口Flash控制器分别与坏列控制器和NandFlash连接进行数据交换,坏列控制器与NandFlash缓冲器连接进行数据交换。

2.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述通道和双口存储器的数量均为两个。

3.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述多个通道之间相互独立设置。

4.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述FPGA芯片还包括PCI接口,双口存储器设置在PCI接口与双口NandFlash控制器之间。

5.根据权利要求4所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述双口存储器的第一端与PCI接口连接,双口存储器的第二端与双口Flash控制器连接。

6.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述伪随机数发生器包括输入电路、CRC校验电路、干扰电路、映射电路、状态缓存器和抽样电路,输入电路的输出端与CRC校验电路的第一输入端连接,CRC校验电路的输出端与映射电路的第一输入端连接,干扰电路的输出端与映射电路的第二输入端连接,映射电路的输出端分别与抽样电路和状态缓存器的输入端连接,状态缓存器的输出端与CRC校验电路的第二输入端连接。

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