[实用新型]基于双口Flash控制器的Nand Flash坏列管理设备有效
申请号: | 201520761263.4 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN204945995U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 李永军;杨松;杨磊;邱礼胜;曾伟军;李慈航;唐棋 | 申请(专利权)人: | 成都嘉泰华力科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F7/58 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 flash 控制器 nand 管理 设备 | ||
1.基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:包括双口Flash控制器、伪随机数发生器、数据比较器、坏列控制器和NandFlash缓冲器;
所述双口Flash控制器设置在FPGA芯片内,双口Flash控制器连接有多个双口存储器,双口Flash控制器包括多个通道,多个通道分别与多个双口存储器一一对应连接;
所述伪随机数发生器的输出分别与数据比较器和双口Flash控制器的输入连接,双口Flash控制器的输出与数据比较器的输入连接,数据比较器的输出与坏列控制器的输入连接,双口Flash控制器分别与坏列控制器和NandFlash连接进行数据交换,坏列控制器与NandFlash缓冲器连接进行数据交换。
2.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述通道和双口存储器的数量均为两个。
3.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述多个通道之间相互独立设置。
4.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述FPGA芯片还包括PCI接口,双口存储器设置在PCI接口与双口NandFlash控制器之间。
5.根据权利要求4所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述双口存储器的第一端与PCI接口连接,双口存储器的第二端与双口Flash控制器连接。
6.根据权利要求1所述的基于双口Flash控制器的NandFlash坏列管理设备,其特征在于:所述伪随机数发生器包括输入电路、CRC校验电路、干扰电路、映射电路、状态缓存器和抽样电路,输入电路的输出端与CRC校验电路的第一输入端连接,CRC校验电路的输出端与映射电路的第一输入端连接,干扰电路的输出端与映射电路的第二输入端连接,映射电路的输出端分别与抽样电路和状态缓存器的输入端连接,状态缓存器的输出端与CRC校验电路的第二输入端连接。
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