[实用新型]一种CIGS薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520761502.6 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN205122601U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 朱登华;赵联波;王宝玉 | 申请(专利权)人: | 常德汉能薄膜太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 415000 湖南省常德市武陵区德山经济开*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cigs 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种CIGS薄膜太阳能电池,其特征在于:整体依次由基底、阻挡层、钼背电极层、钼钠层、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌层和BZO导电窗口层叠合固为一体;在BZO导电窗口层上配置表面金属电极层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:表面金属电极层由银浆组成,其不透光,成网栅状结构分布在BZO导电窗口层表面。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:基底为柔性不锈钢、铝、镍、铂或其合金的衬底,厚度为10-100μm:或,基底为硬质玻璃或柔性玻璃衬底,其厚度为0.2-5mm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:阻挡层为铬或钛化钨合金,厚度为10-200nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:钼背电极层作为整个CIGS薄膜太阳能电池的背电极,厚度是200-1500nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:钼钠层厚度是10-300nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:CIGS光吸收层在整个电池中作为p型电极,其厚度是1-3μm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:本征氧化锌层作为整个CIGS太阳能电池器件的N极,本征氧化锌层7的厚度为20-100nm。
9.根据权利要求1、7或8所述的太阳能电池,其特征在于:CdS缓冲层作为CIGS薄膜太阳能电池的衬底,是连接CIGS光吸收层和本征氧化锌层之间的结构,起到缓冲的桥梁作用,其厚度30nm-50nm;CIGS光吸收层与CdS缓冲层及本征氧化锌层形成PN结。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于:BZO导电窗口层作为整个CIGS太阳能电池的透明导电氧化物窗口层,厚度为100-1000nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常德汉能薄膜太阳能科技有限公司,未经常德汉能薄膜太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520761502.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:针织机变色头切夹放纱连动机构
- 下一篇:耐磨跳杆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的